ВВЕДЕНИЕ……………………………………………………………………. 5
ГЛАВА I. АНАЛИЗ ЛИТЕРАТУРНЫХ ДАННЫХ ПО МОДИФИКАЦИИ СВОЙСТВ И СОЗДАНИЮ НАНОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР НА
ПОВЕРХНОСТИ МАТЕРИАЛОВ МЕТОДОМ ИОННОЙ БОМБАРДИРОВКИ ………………………………………………………………………... 13
1.1. Влияние высокотемпературной активировки и ионной бомбардировки на эмиссионные свойства сплавов Pd-Ba ………………….…. 13
1.2. Наноразмерные упорядоченные слои дисилицида кобальта, сформированные бомбардировкой кремния ионами Co+…………………. 16
1.3. Применение метода синтеза и моделирования процессов формирования наноразмерных структур ………………………………………. 26
Постановка задачи …………………………………………………….. 33
ГЛАВА II. ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ И ИЗУЧЕНИЯ ФИЗИЧЕСКИХ
СВОЙСТВ НАНОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР ФОРМИРОВАННЫХ НА
ПОВЕРХНОСТИ МЕТАЛЛОВ И ПОЛУПРОВОДНИКОВ ………………. 36
2.1. Установка для ионной бомбардировки в сочетании с отжигом для
исследования состава и электронных свойств ………………………. 36
2.2. Экспериментальная установка для проведения ионного легирования и изучения вторично-эмиссионных параметров специальных
катодов …………………………………………………………...…….. 41
2.3. Методика регистрации спектров оже-, ХПЭ- и фотоэлектронов …... 43
2.4. Методика регистрации энергетических зависимостей коэффициентов вторично – электронной эмиссии……………..……. 47
2.5. Краткая характеристика стандартных установок ВИМС, ДБЭ, РЭМ
и АСМ …………………………………………………………….……. 49
2.6. Подготовка образцов к исследованиям ……………………………… 51
Выводы по Главе II ……………………………………………………. 52
ГЛАВА III. ФОРМИРОВАНИЕ НАНОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР В ПОВЕРХНОСТНОЙ ОБЛАСТИ СПЛАВОВ Pd-Ba ПРИ ТЕРМИЧЕСКОЙ
АКТИВИРОВКЕ И ИОННОЙ БОМБАРДИРОВКЕ ………………………. 53
3.1. Влияние способа активировки на состав и эмиссионные свойства
сплавов Pd-Ba ………………………………………………………….. 55
3.2. Формирование наноразмерных структур типа Pd-Ba, Pd-Ba-О на
поверхности Pd и Pd-Ba при ионной бомбардировке ………………. 61
3.3. Влияние внешних воздействий на эмиссионные свойства активированных и ионно-имплантированных образцов Pd-Ba ……………. 67
3.4. Возможные причины отказа стандартных катодов Pd-Ba в процессе
эксплуатации …………………………………………………………... 78
Выводы по Главе III …………………………………………………… 80
ГЛАВА IV. МОРФОЛОГИЯ, СОСТАВ, ЭЛЕКТРОННАЯ И КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА ПОВЕРХНОСТИ ОДНО- И ТРЕХКОМПОНЕНТНЫХ НАНОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР СОЗДАННЫЕ НА ПОВЕРХНОСТИ БИНАРНЫХ МАТЕРИАЛОВ.................................................. 833
4.1. Основные характеристики МЛЭ и ТФЭ пленок CoSi2 \Si (111) …… 85
4.2. Изучение процессов формирования наноразмерных структур при
бомбардировке тонких пленок CoSi2\Si (111) ионами Ar+ ………….. 89
4.3. Влияние имплантации ионов кислорода на состав и электронную
структуру пленок CoSi2/Si (111) ……………………………………… 94
4.4. Электронная структура наноразмерных структур созданных на поверхности GaAs методом ионной имплантации …………………….. 98
4.5. Теоретические аспекты формирования наноразмерных структур в
бинарных соединениях при облучении ионами инертных газов …... 109
4.6. Формирование одно- и многокомпонентных нанокристаллов и
нанопленок при ионной бомбардировке пленок PdBa, CoSi2 и GaAs 113
4.7. Перспективы применения наноразмерных гетероэпитаксиальных
структур для создания перспективных приборов твердотельной
электроники ……………………………………………………………. 117
Выводы по Главе IV …………………………………………………... 119
ЗАКЛЮЧЕНИЕ ………………………………………………………………. 122
СПИСОК ОПУБЛИКОВАННЫХ РАБОТ …………………………………. 125
ЛИТЕРАТУРА …………………………………………………….………….. 129
