ВВЕДЕНИЕ ………………………………………………………….......... 5
ГЛАВА I. СОСТОЯНИЕ ПРОБЛЕМЫ ПОЛУЧЕНИЯ И ИЗУЧЕНИЯ
ФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ПЕРСПЕКТИВНЫХ НАНОРАЗМЕРНЫХ
СТРУКТУР НА ОСНОВЕ МЕТАЛЛОВ И
ПОЛУПРОВОДНИКОВ 12
§ 1.1. Состав и свойства наноразмерных пленок и структур, созданных на основе Si…………………………………………………..
12
§ 1.2. Формирование наноразмерных гетероструктур в поверхностной области Si и Mo при ионной бомбардировке……………… 23
§ 1.3. Влияние различных воздействий на состав, структуру и свойства гетерогенных систем и приборных структур на основе Si.
29
Постановка задачи ……………………………………………...... 38
ГЛАВА II. ОСНОВНЫЕ ПРИНЦИПЫ БАЗОВОЙ УСТАНОВКИ ДЛЯ
ПОЛУЧЕНИЯ И ИЗУЧЕНИЯ ФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ
МАТЕРИАЛОВ С НАНОРАЗМЕРНЫМИ СТРУКТУРАМИ 41
§ 2.1. Сверхвысоковакуумный универсальный экспериментальный
прибор …………………………………………………………… 41
§ 2.2. Методика исследования спектров оже-электронов и электронов с характеристическими потерями энергии………………… 47
§ 2.3. Методы изучения электронный структуры………...…….…….. 50
§ 2.4. Методы исследования морфологии и кристаллической структуры нанокристаллов и нанопленок............................................
54
§ 2.5. Подготовка образцов к эксперименту…………………………... 57
Выводы по главе II.......................................................................... 57
ГЛАВА III. СОСТАВ И ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА НАНОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР И ПЛЕНОК, СОЗДАННЫХ НА ПОВЕРХНОСТИ МОЛИБДЕНА И КРЕМНИЯ 59
§ 3.1. Состав и электронная структура поверхности Mo (111) имплантированного ионами Nb+…………………………………..
60
§ 3.2. Морфология, состав и эмиссионные свойства Mo (111), имплантированного ионами Ba+
и Nb+……………………………..
67
§ 3.3. Электронные свойства наноразмерных фаз металлови сили- 753
цидов, созданных на поверхности Si……………………............
§ 3.4. Особенности формирования нанопленок SiO2 на поверхности
Si при ионной имплантации…........................................................
83
§ 3.5. Сравнение параметров зон наноструктур CoSi2 и SiO2 измеренных методами УФЭС, СУОЭ и прохождения света……… 91
Выводы по главе III......................................................................... 92
ГЛАВА IV. ПРИМЕНЕНИЕ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ ДЛЯ СОЗДАНИЯ ДВУХСЛОЙНЫХ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР НА ПОВЕРХНОСТИ И В ПРИПОВЕРХНОСТНОЙ ОБЛАСТИ Si 94
§ 4.1. Электронная структура наноразмерных фаз МеSi2, сформированных на различных глубинах Si……………………………….
95
§ 4.2. Получение двухслойной нанопленочной системы типа
CoSi2/Si/CoSi2/Si (111) ………………………………………...… 99
§ 4.3. Легирование пленок Si со стороны подложки………………… 106
§ 4.4. Влияние бомбардировки заряженными частицами на формирование переходного слоя при напылении на Si, покрытого
тонким слоем окисла……………………………………………..
110
Выводы по главе IV....................................................................... 118
ЗАКЛЮЧЕНИЕ .......................................................................................... 120
СПИСОК ОПУБЛИКОВАННЫХ РАБОТ ............................................... 122
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ ….…………………. 126
