Список условных обозначений, единиц, символов и терминов ………….. 6
Введение ……………………………………………………………………... 7
ГЛАВА 1. ОБЗОР СОВРЕМЕННОГО СОСТОЯНИЯ ИССЛЕДОВАНИЙ
ПО ВОЗДЕЙСТВИЮ ДАВЛЕНИЯ И СВЧ ПОЛЯ НА
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ …….................... 16
§1.1. Воздействие СВЧ поля на полупроводниковые
структуры ………………………....................................................... 16
§1.2. Влияние внешней деформации на свойства полупроводниковых
структур ……..................................................................................... 32
§1.3. Использование фазовых портретов при исследовании полупроводниковых структур ………………………………………………… 40
Постановка задачи.............................................................................. 49
ГЛАВА 2. ВЛИЯНИЕ СВЕТА И ДЕФОРМАЦИИ НА ТЕНЗОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР….. 51
§2.1. Тензорезистивный эффект в системе потенциальных барьеров в
полупроводниковых пленках ……………………………………….. 51
§2.2. Система потенциальных барьеров в наноструктурах ……………. 53
§2.3. Тензочувствительность p-n-перехода при освещении …………...... 64
Выводы по главе 2 ………………………………………………………. 71
ГЛАВА 3. ИЗМЕНЕНИЕ ФОТОТОКОВ И ФОТОЭДС В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ
ДЕФОРМАЦИИ ………………………………………... 72
§3.1. Влияние деформации на фототоки в p-n-переходах ........................... 72
§3.2. Термодинамика p-n-перехода в СВЧ поле ………….…………… 83
§3.3. Влияние деформации и освещения на (ВАХ) ЭДС генерируемый
p-n-переходом в СВЧ поле ………………………………………. 90
§3.4 Квазиуровни Ферми горячих электронов и дырок и электродвижущие силы, генерируемые на освещенном p-n-переходе …... 984
Выводы к главе 3 ………………………………………………………. 117
ГЛАВА 4. ФАЗОВЫЕ ПОРТРЕТЫ ДЕФОРМАЦИОННЫХ ЭФФЕКТОВ
ОСВЕЩЕННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ……………….. 118
§4.1. Применение фазовых портретов для исследования генерационнорекомбинационных процессов в полупроводниках ………..…... 118
§4.2. Определение линейной и квадратичной рекомбинации методом
фазовых портретов …………………………………………….. 126
§4.3. Воздействие рекомбинационных центров на форму фазовых
портретов ………………………………………………………... 135
Выводы к главе 4 ………………………………………………………. 142
ГЛАВА 5. ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ
УРОВНЕЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР ….. 144
§5.1 Тепловое уширение энергетических уровней и плотность состояний квазиодномерного электронного газа …………………. 144
§5.2 Температурная зависимость энергетической щели обусловленная
колебаниями решетки и тепловым уширением энергетических
уровней ………………………………………………………………. 151
Выводы к пятой главе ………………………………………………….. 161
ЗАКЛЮЧЕНИЕ ……………………………………………………………... 162
СПИСОК ОПУБЛИКОВАННЫХ РАБОТ ……………….………………… 164
ЛИТЕРАТУРА ………………………………………………………………. 167
ПРИЛОЖЕНИЯ ……………………………………………………………... 185
