ВВЕДЕНИЕ.…………………………………..……. 6
ГЛАВА I. CОСТОЯНИЕ ПРИМЕСНЫХ АТОМОВ В КРЕМНИИ
18
1.1 Сильнокомпенсированный полупроводник……… 19
1.2 О природе глубоких уровней в в кремнии… 28
1.3 Состояние проблемы создание неравновесныхпроцессов в
полупроводниках и основные задачи 33
1.4 Методы образования комплексов германия в кремнии… 38
1.5 Самоорганизация кластеров кобальта в кремнии……….. 41
1.6 Создания примесных комплексов селена в кремнии…….. 43
Постановка задачи……………………………………. 51
ГЛАВА II ОПТИМАЛЬНЫЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ УСЛОВИЯ
ПОЛУЧЕНИЯ СИЛЬНОКОМПЕНСИРОВАННОГО КРЕМНИЯ.….. 54
2.1 Влияние исходных примесных атомов на концентрацию
электроактивных атомов примесей с глубокими уровнями… 55
2.2 О влиянии температуры диффузии на концентрацию
электроактивных атомов примесей с глубокими уровнями….. 59
2.3 Влияние давления паров диффузанта на концентрацию
электроактивных атомов……………………………. 65
2.4 Влияние плотности атомов диффузанта на коэффициент
диффузии и концентрации электроактивных атомов в кремнии 68
2.5 Некоторые тонкости технологии получения
сильнокомпенсированного полупроводника (кремния) 71
2.6 Низкотемпературная диффузионная технология
легирования кремния примесными атомами …… 76
Выводы ко второй главе
ГЛАВА III ГАЛВАНОМАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА
СИЛЬНОКОМПЕНСИРОВАННОГО КРЕМНИЯ,
ЛЕГИРОВАННОГО ПРИМЕСНЫМИ АТОМАМИ 82
3.1 Отрицательное магнитосопротивление в полупроводниковых
материалах.. 83
3.2 Магнитосопротивление в компенсированном и 87
4
перекомпенсированном кремнии………………..
3.3 Влияние электрического поля и температуры на
магнитосопротивление кремния, легированного марганцем 94
3.4 Магнитосопротивление компенсированного кремния, при
освещении интегральным светом……………. 97
Выводы к третьей главе
102
ГЛАВА IV ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
СИЛЬНОКОМПЕНСИРОВАННОГО КРЕМНИЯ ПАРАМЕТРЫ
КОТОРЫХ НАХОДИЛИСЬ В НЕРАВНОВЕСНОМ СОСТОЯНИИ. 104
4.1 Оптимальные условия легирования для получения
кремния с собственной проводимости 104
4.2 Энергетические уровни примесных атомов в условиях
в крайне неравновесного состояние 112
4.3 Некоторые особенности электрофизических свойств
сильнокомпенсированного кремния в
крайненеравнороавновесном состоянии… 118
4.4 Влияние монополярной инжекции на фотоэлектрические
свойства сильнокомпенсированного кремния. 130
4.5 Влияние низкотемпературного отжига на свойства
сильнокомпенсированного кремния с кластерами примесных
атомов
Выводы к четвертой главе 139
ГЛАВА V НЕОБХОДИМЫЕ УСЛОВИЯ ВОЗБУЖДЕНИЯ
СТАБИЛЬНЫХ И ВОСПРОИЗВОДИМЫХ АВТОКОЛЕБАНИЙ
ТОКА В СИЛЬНОКОМПЕНСИРОВАННОМ КРЕМНИИ 140
5.1 Условия возбуждения инжекционные автоколебания тока в
структурах р
+
- р(Si<Mn>) - p
+
141
5.2 Корреляция параметров автоколебаний тока и
электрофизических параметров материала 149
5.3 Влияние температуры на условия возбуждения и основные
параметры автоколебаний 159
5.4 Влияние интенсивности освещения и частоты 163
5
монохроматического света на условия возбуждения и
параметры автоколебаний тока в сильнокомпенсированном
кремнии
5.5 Особенности автоколебательных процессов в
сильнокомпенсированном кремнии 170
Выводы к пятой главе 178
ГЛАВА VI ВОЗМОЖНОСТИ СОЗДАНИЕ ПРИБОРОВ И
ДАТЧИКОВ С ФУНКЦИОНАЛЬНЫМИ ВОЗМОЖНОСТЯМИ НА
ОСНОВЕ СИЛЬНОКОМПЕНСИРОВАННОГО КРЕМНИЯ В
ЭЛЕКТРОНИКЕ 180
6.1 Твердотельные генераторы инфранизких и звуковых частот
на основе автоколебаний тока в кремнии 181
6.2 Фотоприёмники ИК излучения на основе автоколебаний тока
в кремнии 183
6.3 Создание принципиально новых видов датчиков физических
величин на основе автоколебаний тока в кремнии 186
6.4 ИК фотоприёмники работающие при наличии фонового
(интегрального) света 188
6.5 Использование кремния в качестве датчика магнитного поля 193
6.6 Новая технология формирования примесных атомов в
решетке кремния 197
Выводы к шестой главе 201
Заключение…………………………………………………….. 203
Список опубликованных работ …….……. 207
Список использованной литературы 215
Приложения 239
