СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ И УСЛОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ……………….5
ВВЕДЕНИЕ……………………………………………………………………….7
ГЛАВА I. CОВРЕМЕННОЕ СОСТОЯНИЕ ИССЛЕДОВАНИЙ
ФИЗИЧЕСКИХ ЯВЛЕНИЙ В ЛЕГИРОВАННОМ КРЕМНИИ
И ПРИБОРАХ НА ЕГО ОСНОВЕ……………………………..........16
§1.1.О современном состоянии исследований свойств кремния,
легированного примесями с глубокими примесями ………….…..........16
§1.2.Некоторые особенности поведения кислорода и углерода
в кремнии………………………………………………………………...….22
§1.3.Дефекты на границе раздела кремний – двуокись кремния……………..23
Постановка задачи………………………………………………………….40
ГЛАВА II. НЕСТАЦИОНАРНАЯ ЕМКОСТНАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ
ГЛУБОКИХ ЦЕНТРОВ В КРЕМНИИ И КРЕМНИЕВЫХ
МНОГОСЛОЙНЫХ СТРУКТУРАХ ……………………….....…..43
§2.1.Емкостная спектроскопия глубоких центров в диодных структурах….43
§2.2.Теоретические основы методов нестационарной емкостной
спектроскопии глубоких уровней при постоянной емкости
в многослойных структурах…………………...…………………….…….48
§2.3.Технология легирования кремния нетрадиционными примесями ……..60
§2.4.Технология изготовления многослойных структур типа металл-диэлектрик-полупроводник…………………………………………….….64
Выводы к главе 2.………………………………………………………. ..65
ГЛАВА III. ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В КРЕМНИИ, ЛЕГИРОВАННОМ
НЕТРАДИЦИОННЫМИ ПРИМЕСЯМИ ……............................. 67
§3.1.Емкостная спектроскопия дефектов в кремнии, легированном
легированном примесями переходных и редкоземельных элементов….67
§3.2.Инфракрасная спектроскопия кремния, легированного
нетрадиционными примесями ………………………………….………....90
§3.3.Дефектная структура кремния, легированного примесями с глубокими
уровнями…………………………………………………………………....97
3
§3.4.Радиационное дефектообразование в кремнии, легированном
нетрадиционными примесями……………………………………….... .101
Выводы к главе 3.………………………………………………………. 106
ГЛАВА IV. НЕРАВНОВЕСНЫЕ ПРОЦЕССЫ В КРЕМНИЕВЫХ
МДП-СТРУКТУРАХ И МОП-ТРАНЗИСТОРАХ……………..108
§4.1.Влияние - облучения на параметры МДП- структур со смещением
и без смещения на полевом электроде……………………………….….108
§4.2.Исследование воздействия высокоэнергетического тормозного
- излучения бетатрона и -квантов
60
Со на параметры МНОП –
структур и МОП-транзисторов ….……………………………………....109
§4.3.Влияние низкотемпературного отжига и термополевых обработок на
параметры МНОП-структур и МОП-транзисторов, подвергнутых
воздействию высокоэнергетического тормозного -излучения……….120
§4.4.Влияние нетрадиционных примесей на свойства МДП-структур.…..131
§4.5.Возможность использования МДП-структур на основе нейтронно-трансмутационно легированного кремния для производства приборов
с зарядовой связью……………………………………….………….........147
Выводы к главе 4……………………………………………………….…151
ГЛАВА V. ЕМКОСТНАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ ПЕРЕХОДНОГО СЛОЯ
В СИСТЕМЕ МЕТАЛЛ-ДИЭЛЕКТРИК- ПОЛУПРОВОДНИК
§5.1.Релаксационные эффекты в системе Si –SiO
2
……..
…………………....153
§5.2. Исследование радиационных дефектов в переходном
слое кремний –двуокись кремния…………………………………..……161
§5.3.Оценка профиля распределения степени окисления кремния в
переходном слое Si - SiO
2
…………………………………………….…..174
§5.4.Влияние термообработки на свойства облученных кремниевых
МДП-структур………………………………………………………….…179
Выводы к главе 5.…………………………..……………….……………187
ЗАКЛЮЧЕНИЕ………………………………………………………….……..188
СПИСОК ПУБЛИКАЦИЙ ПО ДИССЕРТАЦИИ……………….…………...191
ЛИТЕРАТУРА………………………………………………………….…… ..197
