СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ И УСЛОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ……. 5
ВВЕДЕНИЕ……………………………………………………………….. 7
ГЛАВА I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРНЫХ ДАННЫХ ПО СВОЙСТВАМ
ГЕТЕРОПЕРЕХОДОВ CdTe/CdS И CdTe/CdSe……………………… 15
§1.1. Изучение солнечного спектра……………………………………. 15
§1.2. Структурно-оптические свойства тонких пленок CdTe с
глубокими примесными уровнями………………………………. 16
§1.3. Исследование электрофизических свойств CdTe/CdS и
CdTe/CdSe………………………………………………………….. 26
Постановка задачи…………………………………………………. 33
ГЛАВА II. ТЕХНОЛОГИЯ И МЕТОДИКА ИЗГОТОВЛЕНИЯ
ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ pCdTe – nCdS И pCdTe – nCdSe
С ГЛУБОКИМИ ПРИМЕСНЫМИ УРОВНЯМИ …………………… 35
§2.1. Технология изготовления гетероструктур на основе pCdTe –
nCdS и pCdTe – nCdSe с глубоким примесным уровням……….. 35
§2.2. Методика измерения спектральных и временных характеристик
гетероструктур на основе pCdTe – nCdS и pCdTe – nCdSe с
глубокими примесными уровнями……………………………….. 40
Выводы к главе 2………………………………………………… 43
ГЛАВА III. ВЛИЯНИЕ ВНЕШНЫХ ФАКТОРОВ НА
ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ГЕТЕРОПЕРЕХОДОВ
НА ОСНОВЕ pCdTe – nCdS И pCdTe – nCdSe С ГЛУБОКИМИ
ПРИМЕСНЫМИ УРОВНЯМИ ….........................................................
44
§3.1. Фотоэлектрические явления в гетероструктурах на основе
pCdTe – nCdS и pCdTe – nCdSe с глубокими примесными
уровнями………………………………………………………….. 44
§3.2. Влияние температуры и давления на электрофизические
свойство гетероструктуры pCdTe-nCdS и pCdTe-nCdSe с
глубокими примесными уровнями……………………………… 53
§3.3. Эффективное влияние глубокие уровни на фотоэлектрические
свойства гетероструктуры на основе p CdTe – n CdS и p CdTe –
n CdSe……………………………………………………………… 58
3
§3.4. Эффективное влияние температуры на фоточувствительность
солнечных элементов гетероструктуры p CdTe – n CdS и p CdTe – n CdSe……………………………………………………………. 66
§3.5. Влияние температуры на морфологические, структурные и
оптические характеристики пленок p CdTe – n CdS и p CdTe – n
CdSe с глубокими примесными уровнями………………………... 72
Выводы к главе 3………………………………………………….. 82
ГЛАВА IV. ОПТИЧЕСКИЕ И ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ
СВОЙСТВА ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ pCdTe – nCdS И pCdTe –
nCdSe С ГЛУБОКИМИ ПРИМЕСНИМИ УРОВНЯМИ И ИХ
ПРАКТИЧЕСКОЕ ПРИМЕНЕНИЕ…………………………………… 84
§4.1. Электрофизические и поверхностно активные свойство
гетероструктуры p-CdTe-nCdS и pCdTe-CdSe с глубокими
примесными уровнями…………………………………………….. 84
§4.2. Улучшения характеристики фотоэлементов на основе p CdTe –
n CdS и p CdTe – n CdSe при термоциклирование……………….. 85
§4.3. Влияние толщины и температуры на фотоэлектрические
свойства гетероструктуры p-CdTe-nCdS и pCdTe-CdSe………… 87
§4.4. Оптические свойства гетероструктуры на основе pCdTe – nCdS
и pCdTe – nCdSe с глубокими примесными уровнями………….. 96
§4.5. Разработка автономного датчика с WIFI подключениям для
определения пыли и газа в помещениях на основе
гетероструктур pCdTe – nCdS и pCdTe – nCdSe…………………. 101
§4.6. Фотоэлектрический модуль солнечного элемента на основе
гетероструктур pCdTe – nCdS и pCdTe – nCdSe и применение его
в новом типе системы определяющего загрязнения воздуха…… 108
Выводы к главе 4 …………………………………………………. 114
ЗАКЛЮЧЕНИЕ…………………………………………………………... 115
СПИСОК ОПУБЛИКОВАННЫХ РАБОТ…………………………… 117
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ ………………. 122
ПРИЛОЖЕНИЯ………………………………………………………….. 137
