Shartli belgilar va qisqartmalar.......................................................... 5
KIRISH............................................................................................. 7
I BOB. A3B5 ASOSIDAGI KO‘PTARKIBLI QATTIQ
QORISHMALARI SHAKLLANISHINING FIZIK ASOSLARI
VA OLINISH TEXNOLOGIYALARI
1.1 A3B5 va A2B6 birikmalarining 4 guruh elementlari bilan o‘zaro o‘rin
almashinuvchi uzluksiz qattiq qorishmalari shakllanishining nazariy
asoslari................................................................................................ 14
1.2 Yupqa ko‘ptarkibli qatlamlar sirtida kvant o‘lchovli ob’yektlarning
shakllanish mexanizmlari................................................................... 17
1.3 Ko‘ptarkibli yupqa pardalarda tok o‘tish mexanizmlari..................... 22
1.4 Yupqa pardalar va qattiq qorishmalarning sirtiy holatlari…………... 27
1.5 Ko‘p komponentali geterotuzilmalarning rivojlanish istiqbollari,
hamda fan va ishlab chiqarishda qo‘llanilishi………………………. 31
1 bob uchun xulosalar (Muammoning qo‘yilishi)............................... 38
II BOB. TADQIQOTNING EKSPERIMENTAL USULLARI
2.1 GaAs asosidagi epitaksial qatlamlarining o‘stirish usullari............... 39
2.2 Rentgenospektral mikrotahlil............................................................. 43
2.3 Rentgenografik fazaviy tahlil............................................................. 45
2.4 Sig‘im kuchlanish va tok kuchlanishi o‘rtasida bog‘liqliklarining
tadqiqot usullari.................................................................................. 48
2.5 Fototokning spektral bog‘liqliklari tadqiqotlari.................................. 49
2 bob uchun xulosalar......................................................................... 51
III BOB. KVANT O‘RALI (GaAs)1-x(Ge2)x EPITAKSIAL
QATLAMLARINING TUZILISHI, MORFOLOGIYASI
HAMDA FOTO VA ELEKTROFIZIK XOSSALARI
3.1 (GaAs)1-x(Ge2)x epitaksial qatlamlarining tuzilmaviy xossalari......... 54
3.2 (GaAs)1-x(Ge2)x epitaksial qatlamlarining morfologik tadqiqotlari.... 58
3.3 Kvant o‘rali (GaAs)1-x(Ge2)x epitaksial qatlamlari asosidagi
geterotuzilamalarining volt-amper va volt-farad xarakteristikalari.... 60
3.4 Kvant o‘rali (GaAs)1-x(Ge2)x epitaksial qatlamlari asosidagi
geterotuzilamalarining fotoelektrik xossalari..................................... 64
2 bob uchun xulosalar......................................................................... 70
4
IV BOB. ZnSe KVANT NUQTALI YARIMO‘TKAZGICHLI
(GaAs)1-x(Ge2)x EPITAKSIAL QATLAMLARINING
TUZILISHI, ELEKTROFIZIK VA FOTOELEKTRIK
XOSSALARI
4.1 ZnSe kvant nuqtali yarimo‘tkazgichli (GaAs)1-x(Ge2)x epitaksial
qatlamlarining tuzilishi hamda morfologiyasi.................................... 72
4.2 ZnSe kvant nuqtali yario‘tkazgichli (GaAs)1-x(Ge2)x epitaksial
qatlamlari asosidagi tuzilmalarning elektrofizik xossalari………….. 76
4.3 ZnSe kvant nuqtali yario‘tkazgichli (GaAs)1-x(Ge2)x epitaksial
qatlamlari asosidagi tuzilmalarning fotoelektrik xossalari…………. 81
4 bob uchun xulosalar........................................................................ 88
XULOSA 89
NASHR QILINGAN ISHLAR RO‘YXATI 91
FOYDALANILGAN ADABIYOTLAR RO‘YXATI 94
