| ВВЕДЕНИЕ………………………………………………………………..… | 6 | |
| ГЛАВА I. ОСОБЕННОСТИ ПРОЦЕССОВ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ В КРЕМНИИ И КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУРАХ | 19 | |
| §1.1. | Механизмы дефектообразования в монокристаллическом, кремнии ………………………...…………………………….…….. | 19 |
| §1.2. | Электрические свойства дефектов в кремнии…........................... | 27 |
| §1.3. | Характеристика окислительных процессов и механизмы дефектообразования в процессе окисления кремния …….…...… | 29 |
| §1.4. | Основные закономерности емкостной спектроскопии глубоких уровней в полупроводниках ……………………………………..… | 35 |
| §1.5. | Технология легирования кремния тугоплавкими и редкоземельными элементами……………………………………... | 43 |
| Постановка задачи…………………...…………………………….. | 46 | |
| ГЛАВА II. ПРОЦЕССЫ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ В КРЕМНИИ С ПРИМЕСЯМИ ТУГОПЛАВКИХ ЭЛЕМЕНТОВ | 48 | |
| §2.1. | Энергетический спектр дефектных центров в кремнии, легированном примесями тугоплавких элементов …..………... | 49 |
| §2.2. | Инфракрасная спектроскопия кремния, легированного примесями тугоплавких элементов………………………………. | 71 |
| §2.3. | Взаимодействие атомов тугоплавких элементов со связанными состояниями кислорода в кремнии…………………..…………… | 76 |
| §2.4. | Влияние примесей тугоплавких элементов на фоточувствительность легированного кремния……………………. | 81 |
| Выводы к главе 2……………………………………………… | 86 | |
| ГЛАВА III. ВЛИЯНИЕ ВНЕШНИХ ФАКТОРОВ НА ПРОЦЕССЫ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ В КРЕМНИИ С ПРИМЕСЯМИ ТУГОПЛАВКИХ ЭЛЕМЕНТОВ | 87 |
4
| §3.1. | Влияние термообработки на поведение глубоких уровней в кремнии, легированном примесями тугоплавких элементов …... | 87 |
| §3.2. | Кинетика низкотемпературного отжига уровней примесей тугоплавких элементов в кремнии …………………………………... | 90 |
| §3.3. | Влияние - и электронного облучения на свойства уровней примесей тугоплавких элементов в кремнии…………………….. | 92 |
| §3.4. | О влиянии диспрозия на процессы радиационного дефектообразования в кремнии……………………………............ | 99 |
| §3 .5. | О роли кислорода и иттербия в образовании радиационных дефектов в кремнии при гамма-облучении | 102 |
| Выводы к главе3…………………………………………………... | 106 | |
| ГЛАВА IV. ВЛИЯНИЕ ПРИМЕСЕЙ ТУГОПЛАВКИХ ЭЛЕМЕНТОВ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР…………………. | 108 | |
| §4.1. | Дефектообразование в МДП-структурах на основе кремния с примесью молибдена………………………………………………. | 108 |
| §4.2. | Влияние вольфрама на характеристики кремниевых МДП –структур …………………………………………………….. | 112 |
| §4.3. | Дефектообразование в МДП-структурах на основе кремния с примесями тугоплавких элементов……………………………… | 118 |
| §4.4. | Влияние примеси иттербия на генерационные характеристики МДП-структур…………………………………… | 122 |
| § 4.5. | Влияние примесей редкоземельных элементов на параметры МДП-структур……………………………………………………… | 125 |
| Выводы к главе 4……………...………………..………………….. | 129 | |
| ГЛАВА V. РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ В РОЛИ ВНУТРЕННИХ ГЕТТЕРОВ В КРЕМНИИ И КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУРАХ С ПРИМЕСЯМИ ТУГОПЛАВКИХ ЭЛЕМЕНТОВ... | 130 | |
| § 5.1. | Процессы дефектообразования в кремнии, легированном гафнием, вольфрамом и молибденом и влияния на эти процессы | 131 |
5
| примесей редкоземельных элементов…………..………………… | ||
| § 5.2. | Влияние атомов эрбия, гольмия и ростовых примесей на эффективность образования радиационных дефектов в кремнии…………………………………………………………… | 134 |
| § 5.3. | Исследование взаимодействия европия с кислородом в кремнии…………………………………………………………….. | 139 |
| § 5.4. | Влияние примесей редкоземельных элементов на свойства системы Si-SiO2 с термическим окислом, облученной гамма квантами…………………………………………………………… | 143 |
| Выводы к главе 5……………...………………..………………….. | 148 | |
| ГЛАВА VI. ПРИБОРЫ С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ НА ОСНОВЕ СТРУКТУР МЕТАЛЛ-ДИЭЛЕКТРИК-ПОЛУПРОВОДНИК, ЛЕГИРОВАННЫХ ПРИМЕСЯМИ ТУГОПЛАВКИХ ЭЛЕМЕНТОВ | 149 | |
| §6.1. | Основные принципы работы приборов с зарядовой связью…… | 150 |
| §6.2. | Методика измерения неэффективности переноса заряда в приборах с зарядовой связью……………………………………… | 155 |
| §6.3. | Изучение параметров приборов с зарядовой связью……………... | 162 |
| §6.4. | Влияние примесей тугоплавких элементов на неэффективность переноса заряда в приборах с зарядовой связью………………….. | 168 |
| Выводы к главе 6…………………………………………………… | 174 | |
| ЗАКЛЮЧЕНИЕ………………………………………………………….…... | 175 | |
| СПИСОК ПУБЛИКАЦИЙ ПО ДИССЕРТАЦИИ……………………….... | 177 | |
| ЛИТЕРАТУРА……………………………………………………………..... | 184 | |
| СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ И УСЛОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ…………... | 196 | |
| ПРИЛОЖЕНИЯ | ||
| Приложение 1. Основные требования к установкам для емкостных измерений……………………………………………………………………. | 198 | |
| Приложение 2. Справка об использовании результатов диссертации Новосибирского завода полупроводниковых приборов………………… | 209 |
6
| Приложение 3. Заключение по диссертационной работе1-го Заместителя Председателя Правления АК «Узэлтехсаноат»...................... | 210 |
| Приложение 4. Справка об использовании результатов диссертации, выданная Министерством высшего и среднего специального образования Республики Узбекистан…….................................................... | 212 |
| Приложение 5. Справка об использовании результатов диссертации, выданная Президиумом Академией наук Республики Узбекистан…........ | 213 |
