| Основные условные обозначения и сокращения………………………….. | 5 | |
| ВВЕДЕНИЕ………………………………………………………………...... | 7 | |
| ГЛАВА 1. АНАЛИЗ СОСТОЯНИЯ ИССЛЕДОВАНИЙ ПО ВЛИЯНИЮ СВЕТОВОГО, ТЕПЛОВОГО И ДЕФОРМАЦИОННОГО ВОЗ ДЕЙСТВИЙ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ДИОДНЫХ И ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР................................................................... | 13 | |
| §1.1. | Многофункциональные датчики на основе полупроводниковых резисторных структур..……………………………...……………... | 13 |
| §1.2. | Датчики на основе полупроводниковых диодных структур…….. | 22 |
| §1.3. | Универсальные датчики на основе транзисторных структур……. | 26 |
| Постановка задачи……………………………………..….………… | 34 | |
| ГЛАВА 2. ФИЗИКО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ МНО ГОФУНКЦИОНАЛЬНОГО ДАТЧИКА….………………...………......….. | 36 | |
| §2.1. | Принципы повышения чувствительности транзисторной структуры к внешним воздействиям.................................................. | 36 |
| §2.2. | Обоснование выбора полевого транзистора в качестве чувстви тельного элемента……………………………………........................ | 40 |
| §2.3. | Особенности ключевых параметров полевых транзисторов .…..... | 46 |
| Выводы ко второй главе ..…………………………………...……... | 50 | |
| ГЛАВА 3. ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ ТЕМПЕРАТУРЫ………............. | 51 | |
| §3.1. | Температурные свойства полевого транзистора в диодном режиме включения………………………………………................... | 51 |
| §3.2. | Температурные свойства полевого транзистора в режиме ограничения токов ……………...………………….…………..…… | 55 |
| §3.3. | Температурная зависимость напряжения отсечки ……..………..... | 61 |
| §3.4. | Особенности температурной чувствительности транзисторной структуры в двухполюсном режиме………………………………... | 65 |
| Выводы к третьей главе……………………………………………... | 71 |
4
| ГЛАВА 4. ОСОБЕННОСТИ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ К СВЕТОВОМУ ИЗЛУЧЕНИЮ И ДАВЛЕНИЮ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА .………… | 73 | |
| §4.1. | Фотовольтаический эффект в диодном режиме включения полевого транзистора…………………………………………...…… | 74 |
| §4.2. | Влияние интегрального освещения на фотоэлектрические характеристики…………………………………………………...….. | 80 |
| §4.3. | Особенности чувствительности полевого транзистора к деформации…………………………………………………………... | 84 |
| §4.4. | Фотовольтаический приемник оптических сигналов на полевом транзисторе………………………………………………………....... | 88 |
| §4.5. | Модуль приема оптических сигналов с входным каскадом на полевом фототранзисторе…………………………………………… | 89 |
| Выводы к четвертой главе…………………………………………... | 92 | |
| ЗАКЛЮЧЕНИЕ…….………………………….…………………………….. | 94 | |
| СПИСОК ОПУБЛИКОВАННЫХ РАБОТ.………..…….………………… | 96 | |
| СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ………………………… | 99 | |
| ПРИЛОЖЕНИЕ……………………………………………………………... | 106 |
