Введение……………………………………………………………………….. 4
ГЛАВА I
ОБЗОР ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ И ТЕОРЕТИЧЕСКЫХ РАБОТ ПО
ПРИМЕНЕНИЮ КРИСТАЛЛА GaAs В РЕЗОНАТОРЕ
ТВЕРДОТЕЛЬНЫХ ЛАЗЕРОВ………………………………………………12
1.1. Использование полупроводника GaAs для управления параметрами
твердотельных лазеров…………………………………………………….…13
1.2. Образование дефектов в полупроводниковых кристаллах, при
воздействие мощного лазерного излучения…………………………….…..25
1.3. Физические и химические свойства активной среды солнечного лазера
на основе оксихлорида фосфора (POCl
3
-SnCl
4
-Nd
3+
) ………..…………...38
1.4. Постановка задачи……………………………………………………….44
ГЛАВА II
ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ УСТАНОВКА И МЕТОДИКА
ЭКСПЕРИМЕНТА …………………………………………………………...46
2.1. Схема экспериментальной установки…….…………………………….46
2.2. Методика проведения эксперимента……………………………………52
ГЛАВА III
ВЛИЯНИЕ ДЕФЕКТОВ КРИСТАЛЛА GaAs НА ВЫХОДНЫЕ
ПАРАМЕТРЫ ГЕНЕРАЦИИ ТВЕРДОТЕЛЬНОГО ЛАЗЕРА……………..55
3.1. Внутрирезонаторное исследование образования дефектов и их влияния
на выходные характеристики генерации Nd:YAG лазера ............................55
3.2. Моделирование процессов, происходящих в резонаторе Nd:YAG
лазера с выходным зеркалом на основе дефектного кристалла GaAs…….62
ГЛАВА IV
О ВОЗМОЖНОСТИ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ КРИСТАЛЛА GaAs В
СОЛНЕЧНЫХ ЛАЗЕРАХ В ПРИМЕРЕ ЖИДКОСТНОГО ЛАЗЕРА ……69
3
4.1. Математическая модель жидкостного солнечного лазера на Большой
Солнечной Печи ……………………………………………………………...69
4.2. Увеличение эффективности жидкостного лазера с солнечной
накачкой……………………………………………………………………….77
4.3. Оптимальные соотношения между параметрами узлов солнечных
лазеров на параболических концентраторах………………………………..84
4.4. Моделирование жидкостного лазера с солнечной накачкой с выходным
зеркалом на кристалле GaAs…………………………………………………91
ЗАКЛЮЧЕНИЕ…………………………………………………………….....94
Список опубликованных работ.........................………………………...........95
Список использованной литературы………………………………………...98
