ОСНОВНЫЕ УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ И СОКРАЩЕНИЯ ...... 6
ВВЕДЕНИЕ............................................................................................... 8
I. МИКРОДЕФЕКТЫ В МОНОКРИСТАЛЛАХ
ПОЛУПРОВОДНИКОВ………………………………………………. 18
§-1.1 Термодинамика образования микродефектов в кристаллических
материалах………………………….........................................………... 18
§-1.2 Технологические дефекты в монокристаллах полупроводников …... 22
§-1.3 Взаимодействие собственных дефектов с примесными атомами в
полупроводниковых кристаллах .........…………...............................… 26
§-1.4 Микровключения примесных атомов в кристаллах (состояния
исследования, проблемы, постановка задачи)………………………... 33
II. ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЙ
МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ С
ПРИМЕСНЫМИ МИКРОВКЛЮЧЕНИЯМИ……………………. 44
§-2.1 Особенности легирования монокристаллов полупроводников при
выращивании…………………………….............……....……....…....... 45
§-2.2 Технология диффузионного легирования полупроводников
быстродиффундирующими примесными атомами………….............. 47
§-2.3 Электрические, фотоэлектрические и оптические методы
исследования состояния примесных атомов в кристаллах….........… 52
§-2.4 Радиоактивные и активационные методы определения
концентрации примесных атомов в кристаллах………….........…….. 55
§-2.5 Прецизионные методы исследований микровключений в кристаллах
(электронно-микроскопические, рентгеновские, ИК спектроскопии,
электронно-зондовые)…………………………….………...............….. 58
III. НЕКОТОРЫЕ ОСОБЕННОСТИ ПОВЕДЕНИЯ ПРИМЕСНЫХ
АТОМОВ В МОНОКРИСТАЛЛАХ КРЕМНИЯ…………………. 64
§-3.1 Свойства монокристаллов кремния, легированного примесными 4
атомами при выращивании…………...............................……………. 64
§-3.2 Особенности физических свойств Si, диффузионно легированного
примесными атомами………………………..................................….. 69
§-3.3 Особенности электрических и фотоэлектрических свойств
компенсированного Si………………………………........….………... 78
§-3.4 Теоретические представления о состоянии примесных атомов в
кристаллической решетке полупроводников……………….............. 83
IV. ИССЛЕДОВАНИЕ МЕХАНИЗМОВ ОБРАЗОВАНИЯ
ПРИМЕСНЫХ МИКРОВКЛЮЧЕНИЙ В
МОНОКРИСТАЛЛАХ КРЕМНИЯ…………..............................…. 89
§-4.1 Механизмы образования микровключений примесных атомов,
введенных при выращивании монокристаллов………....................... 89
§-4.2 Механизмы образования микровключений примесных атомов,
введенных диффузионным методом………………………...........…. 92
§-4.3 Электрические свойства монокристаллов Si, содержащих
микровключения примесных атомов Ni, Co и Mn ................................ 102
§-4.4 Оптические и фотоэлектрические свойства монокристаллов кремния
с примесными микровключениями……………….........……………… 107
§-4.5 Механизм образования примесных микровключений в
монокристаллах Si, с помощью теоретической модели………............ 114
V. СТРУКТУРА И ХИМИЧЕСКИЙ СОСТАВ
МИКРОВКЛЮЧЕНИЙ Ni, Co ИЛИ Mn В МОНОКРЕМНИИ ..... 123
§-5.1 Геометрические формы микровключений примесных атомов в Si ..... 123
§-5.2 Химический состав микровключений……………….........………...…. 127
§-5.3 Структура примесных микровключений…………….........………..…. 137
§-5.4 Внутренняя деформация кристаллической решетки при образовании
микровключений………………......……………............................…….. 141
VI. ВЛИЯНИЕ ВНЕШНИХ ВОЗДЕЙСТВИЙ НА СВОЙСТВА
КРЕМНИЯ, С ПРИМЕСНЫМИ МИКРОВКЛЮЧЕНИЯМИ…… 1485
§-6.1 Влияние термообработок на электрофизические свойства
легированного Si.……………………………..............................…….. 148
§-6.2 Влияние проникающей радиации (нейтронные, -облучения) на
свойства легированного кремния……………………..............……… 156
§-6.3 Влияние высоких внешних давлений на свойства Si с примесными
микровключениями……………..……………...................................…... 163
§-6.4 Возможные механизмы распада примесных микровключений в
монокристаллах кремнии …………………….……….................……. 167
§-6.5 Возможности использования кремния с примесными
микровключениями в качестве наноматериалов ………….................. 172
ЗАКЛЮЧЕНИЕ …………………………….…………………............ 178
СПИСОК ОПУБЛИКОВАННЫХ РАБОТ …………………........… 181
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ……….……..… 186
