СПИСОК СОКРАШЕНИЙ И ОБОЗНАЧЕНИЙ ……………………. 5
ВВЕДЕНИЕ ……………………………………………………………. 7
ГЛАВА I. СОВРЕМЕННОЕ СОСТОЯНИЕ ИЗУЧЕНИЯ ТЕПЛОТЕХНИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ В ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ ДИОДАХ ………….......……………………… 14
§1.1. Основные параметры высокочастотных диодов, определяющие тепловые процессы и температурные свойства…….......... 15
§1.2. Анализ зависимости теплового режима от параметров базовой области кремниевых высокочастотных диодов.………… 18
§1.3. Зависимости параметров высокочастотных диодов от временных характеристик …………………………………............ 20
§1.3.1. Зависимости прямого и обратного токов от времени жизни
неосновных носителей заряда…………………………………. 23
§1.3.2. Взаимосвязь мощностных параметров высокочастотных
диодов с временными характеристиками……………………... 28
§1.4. Пути оптимизации функциональных характеристик
силовых диодов…………………………………………………. 30
Постановка задачи………………………………………………........... 33
ГЛАВА.II. ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ И ПРОЦЕССЫ
ФОРМИРОВАНИЯ ТОКОВЫХ ХАРАКТЕРИСТИК
КРЕМНИЕВОГО ВЫСОКОЧАСТОТНОГО ДИОДА..... 35
§2.1. Технология изготовления кремниевых p
+
р°n
+
и p
+
р°n
+
-Мструктур и их основные параметры ………..…………………. 36
§2.2. Исследование зависимости температуры p°n
+
-перехода кремниевой p
+
p°n
+
-структуры от падающей мощности 41
§2.3. Зависимости тепловых свойств силового диода от параметров
базовой области ……………………………………………... 45
Выводы ко второй главе……………………………………………….. 51
ГЛАВА III. ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ ПЕРЕХОДНЫХ
ПРОЦЕССОВ В КРЕМНИЕВЫХ p
+
p°n
+
-СТРУКТУРАХ
ОТ ПАРАМЕТРОВ БАЗОВОЙ ОБЛАСТИ……………… 53
§3.1. Исследование токовых характеристик и переходных процессов в кремниевых высокочастотных диодах при различных
режимах включения…………………………….………………. 53
§3.2. Особенности переходного процесса в p
+
р
о
-i-n
+
- структуре с
градиентной базой ………………………………...……………. 58
§3.3. Исследование зависимости переходных процессов от
толщины базовой области кремниевой p
p°-n
-структуры................................................................................................ 64
§3.4. Сравнительный анализ временных характеристик СВЧ крем- 734
ниевых р
+
р°-n
+
-структур……………………………...………...
§3.5. Исследование влияния уровня инжекции на импульсные параметры кремниевых p
+
p°n
+
-структур……………………….... 75
Выводы к третьей главе……………………………………………….. 79
ГЛАВА IV. ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕПЛОВЫХ ПАРАМЕТРОВ БАЗОВОЙ ОБЛАСТИ НА ПРИМЕРЕ КРЕМНИЕВОЙ
p
+
р°n
+
и p
+
р°n
+
-М -СТРУКТУРЫ …...………………….. 80
§4.1. Исследование влияния импульсного воздействия на
температуру перехода……………………………………………. 80
§4.2. Анализ теплового режима в p
+
р°n
+
и p
+
р°n
+
-М-структурах.……...…………………………………………………..…. 84
§4.3. Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p
p°n
-структуры от частоты следования импульсов…... 88
§4.4. Моделирование тепловых процессов высокочастотного кремниевого диода……………………………………………............ 94
Выводы к четвертой главе………………….…………………………. 103
ЗАКЛЮЧЕНИЕ………………………………………………………… 105
СПИСОК ОПУБЛИКОВАННЫХ РАБОТ…………………………… 107
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ………………….. 109
ПРИЛОЖЕНИЕ...................118
