ВВЕДЕНИЕ………………………………………………………………… 5
ГЛАВА 1. ФИЗИКО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ
ФОРМИРОВАНИЯ ПРИБОРНЫХ СТРУКТУР НА КАРБИДЕ
КРЕМНИЯ
14
1.1.Особенности получения омического контакта к карбиду кремния… 14
1.2.Влияние параметров базовой области и свойств границы раздела на
характеристики SiC диодов Шоттки………………………………………. 30
1.3.Влияние термического и радиационного воздействия на SiC
диодные структуры с барьером Шоттки…………………………………… 35
1.4.Влияние сверхвысокочастотного излучения на свойства контакта
металл-полупроводник……………………………………………………… 40
Постановка задачи………………………………………………………… 46
ГЛАВА 2. ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ И ОСНОВНЫЕ
ПАРАМЕТРЫ ДИОДНЫХ СТРУКТУР С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ
TiBx(ZrBx)-n-SiC6H …………………………………………………………. 47
2.1.Технология изготовления экспериментальных образцов и основные
уравнения для определения их фундаментальных параметров………… 48
2.2.Исследование морфологии поверхности, радиуса кривизны и
профиля распределения компонентов в изучаемыхструктурах………… 55
Выводы к главе 2………………………………………………………… 59
ГЛАВА 3. ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ И СВОЙСТВА
БАРЬЕРНЫХ КОНТАКТОВ К SiC НА ОСНОВЕ АМОРФНЫХ ФАЗ
ВНЕДРЕНИЯ TiBx и ZrBx ………………………………………………. 60
3.1.Межфазные взаимодействия в барьерных контактах TiBx(ZrBx)-nSiC, стимулированные быстрой термической обработкой и их влияние
на параметры барьеров Шоттки………………………………………… 60
3.2.Межфазные взаимодействия в омических контактах Ni-n-SiC……… 65
3.3.Электрические характеристики и параметры детекторных диодов с
барьером Шоттки Au–TiBx(ZrBx)–n-6H SiC…………………………… 684
Выводы к главе 3………………………………………………………… 74
ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ
ДИОДОВ ШОТТКИ ПОД ДЕЙСТВИЕМ МИКРОВОЛНОВОГО
ИЗЛУЧЕНИЯ…………………………………………………………… 75
4.1.Влияние микроволнового облучения на вольт-амперные характеристики диодов Шоттки Au-TiBx-n-SiC 6H………………………………… 75
4.2Особенностимеханизма токопереноса в прямосмещенных диодах
Шоттки TiBx-n-SiC 6H ………………………………………………………
82
4.3.Межфазные взаимодействия на границе раздела TiBx-n-6H-SiC,
стимулированные микроволновой обработкой…………………………… 88
4.4.Анализ влияния микроволнового и быстрой термической обработки
на морфологию поверхности и коэффициент идеальности
образцов…………………………………………………… 91
Выводы к главе 4………………………………………………………… 96
ЗАКЛЮЧЕНИЕ………………………………………………………… 97
СПИСОК ОПУБЛИКОВАННЫХ РАБОТ АВТОРА ПО ТЕМЕ
ДИССЕРТАЦИИ 100
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ…………………… 104
СПИСОК УСЛОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ СОКРАЩЕНИЙ ………. 115
Приложение1 …………………………………………………………… 116
