Основные условные обозначения и сокращения.......................................... 4
Введение…………………………………………………………………….. 5
ГЛАВА I. СТРУКТУРНЫЕ ОСОБЕННОСТИ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПОЛИКРИСТАЛЛОВ И ЭЛЕКТРОННОЕ
СТРОЕНИЕ МЕЖКРИСТАЛЛИТНЫХНЫХ ГРАНИЦ............................. 10
§1.1. Особенности строения поликристаллов............................................... 11
§1.2. Модели атомной структуры границ кристаллитов.............................. 14
§1.3. О реальной структуре поликристаллов................................................. 21
§1.4. Электронные свойства границы кристаллитов.................................... 27
§1.5. Выводы к главе I...................................................................................... 30
ГЛАВА II. ОБРАЗОВАНИЕ МЕЖКРИСТАЛЛИТНЫХ ПОТЕНЦИАЛЬНЫХ
БАРЬЕРОВ ЭЛЕКТРОННЫМИ ПОВЕРХНОСТНЫМИ СОСТОЯНИЯМИ
В ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ...................................... 31
§2.1. Модель и особенности расчета высоты барьера на границах
кристаллитов..................................................................................................... 34
§2.2. Вычисление прозрачности потенциального барьера на границах
кристаллитов..................................................................................................... 39
§2.3. Концентрационная и температурная зависимости прозрачности
потенциального барьера............................................................................... 43
§2.4. Влияние диэлектрической проницаемости материала
поликристалла на прозрачность потенциального барьера......................... 47
§2.5. Выводы к главе II.................................................................................. 54
ГЛАВА III. ВЛИЯНИЕ ПОТЕНЦИАЛЬНЫХ БАРЬЕРОВ НА
ГРАНИЦАХ КРИСТАЛЛИТОВ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ
ПОЛУПРОВОДНИКОВ НА ПЕРЕНОС НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА ВО
ВНЕШНИХ ПОЛЯХ........................................................................................ 56
§3.1. Влияние межкристаллитных барьеров на подвижность электронов
в пленках PbTe. Невырожденная статистика............................................... 573
§3.2. Иследование механизма взаимодействия носителей заряда с
заряженными границами кристаллитов в поликристаллах методом
изучения поперечного эффекта Нернста-Эттингсгаузена............................ 65
§3.3. Идентификация вклада границ кристаллитов в токоперенос в
поликристаллических пленках полупроводников......................................... 69
§3.4. Выводы к главе III................................................................................. 71
ГЛАВА IV. ВЛИЯНИЕ СТРУКТУРНЫХ ОСОБЕННОСТЕЙ
ПОЛИКРИС-ТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК ПОЛУПРОВОДНИКОВ НА
ФОРМИРОВАНИЕ ЭФФЕКТА АНОМАЛЬНОГО
ФОТОНАПРЯЖЕНИЯ.................................................................................... 73
§4.1.Модель для интерпретации эффекта АФН............................................ 75
§4.2. Механизм эффекта АФН....................................................................... 79
§4.3. Обсуждение теоретических представлений......................................... 85
§4.4. Экспериментальные результаты............................................................ 87
§4.5. Обсуждение экспериментальных результатов..................................... 93
§4.6. Выводы к главе IV................................................................................... 96
ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ.................................................................................. 98
СПИСОК ОПУБЛИКОВАННЫХ РАБОТ.................................................... 101
СПИСОК ЦИТИРОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ............................................. 103
