ВВЕДЕНИЕ. 7
ГЛАВА I. МДП ПРИБОРЫ, ИХ СВОЙСТВА И ПРИМЕНЕНИЕ.
(Литературный обзор) 20
§1.1 МДП приборы и влияние на их свойства ионизирующего
излучения и термообработок. 20
§1.2 Особенности встраивания и детектирования заряда в оксидном
слое МДП приборов и аспекты его применения. 35
§1.3 Физические основы формирования наноструктур на основе МДП
приборов. 46
§1.4 Постановка задачи и основные требования к объектам
исследования. 51
ГЛАВА II. ВЛИЯНИЕ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ,
ТЕРМОПОЛЕВЫХ И ТЕРМИЧЕСКИХ ОБРАБОТОК НА
СВОЙСТВА ГРАНИЦЫ РАЗДЕЛА ДИЭЛЕКТРИКПОЛУПРОВОДНИК И ТОКОВЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ МДП
ТРАНЗИСТОРА. 58
§2.1 Характеристики и дозиметрия ионизирующих излучений
применяемых при исследовании. 59
§2.2 Измерения токовых характеристик для определения параметров
МДП приборов. 61
§2.3 Влияния высокоэнергетического тормозного гамма излучения,
гамма квантов от источника Со-60 и термополевой обработки на
энергетический спектр поверхностных состояний на межфазной
границе оксид-кремний 68
§2.4 Сравнительное исследование влияния высокоэнергетического
тормозного излучения и гамма-квантов Со60 на ток утечки стока. 73
§2.5 Исследование влияния высокоэнергетического тормозного 3
излучения на пороговое напряжение и последующей
термической обработки на его составляющие, обусловленные
зарядами, встроенными на границе оксид кремния-кремний и в
оксидном слое МОП-транзистора. 78
§2.6 Выводы II главы. 86
ГЛАВА III. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ
ВЛИЯНИЯ РАДИАЦИОННОГО И ПОЛЕВОГО
ВОЗДЕЙСТВИЯ НА СВОЙСТВА МДП ПРИБОРОВ. 89
§3.1 Измерения высокочастотных вольт-фарадных характеристик
МДП приборов. 90
§3.2 Исследование влияния гамма-квантов Со60 и ориентированного
электрического поля на обратный ток и напряжение пробоя.
переходов исток-подложка и сток-подложка МОП-транзистора. 94
§3.3 Экспериментальное исследование влияния ориентированного
электрического поля и ионизирующего излучения на боковую
вольтемкостную характеристику МОП-транзистора. 100
§3.4 Метод Кельвин пробы на основе атомно силового микроскопа
для исследования распределения потенциала на поверхности
полупроводника. 109
§3.5 Исследование возможности применения метода Кельвин проб
для встраивания и изучения потенциала заряда локализованного
в оксидном слое.
114
§3.6 Выводы III главы. 119
ГЛАВА IV. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ВСТРОЕННОГО В
ОКСИДЕ ЗАРЯДА НА БОКОВЫЕ ВОЛЬТЕМКОСТНЫЕ
ХАРАКТЕРИСТИКИ МДП ТРАНЗИСТОРОВ. 121
§4.1 Влияние заряда встроенного в оксидном слое на емкость
переходов исток (сток)-подложка МДП-транзисторов. 122
§4.2 Метод оценки боковой емкости цилиндрического МОП 4
транзистора по распределению концентрации носителей в
подложке. 126
§4.3 Моделирование емкости перехода исток-подложка
наноразмерных МДП транзисторов с зарядом распределенным в
оксидном слое. 129
§4.4 Выводы IV главы. 137
ГЛАВА V. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ
НАНОСТРУКТУР ОКОЛО ГРАНИЦЫ ДИЭЛЕКТРИКПОЛУПРОВОДНИК И МОДЕЛИРОВАНИЕ БОКОВОЙ
ЕМКОСТИ МДП ТРАНЗИСТОРА. 138
§5.1 Решение уравнения Пуассона для цилиндрической струтуры
диэлектрик-полупроводник. 139
§5.2 Моделирование управляемых квантовых структур около границы
полупроводника с диэлектриком посредством встраивания
заряда. 142
§5.3 Моделирование боковой емкости МДП транзистора с помощью
программы TCAD Sentaurus. 160
§5.4 Выводы V главы. 168
ЗАКЛЮЧЕНИЕ. 170
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ. 173
ПРИЛОЖЕНИЕ 1. 192
ПРИЛОЖЕНИЕ 2. 211
ПРИЛОЖЕНИЕ 3. 213
ПРИЛОЖЕНИЕ 4. 216
