ВВЕДЕНИЕ…………………………………………………………...…… 8
ГЛАВА I. Плотность энергетических состояний и температурная
зависимость энергетических спектров полупроводника………...….. 17
§1.1. Методы исследования температурное зависимости спектров
плотности энергетических состояний полупроводников …………......... 17
§1.2. Край фундаментального поглощения и правило Урбаха ……..….. 32
§1.3. Определения спектра температурной зависимости ширины
запрещенной зоны полупроводников.........………………….…………... 35
§1.4. Энергетические спектры сильнолегированных полупроводников
и полупроводниковые твердых растворов……………………………… 40
Постановка задачи ……………………………….…….………………….. 43
ГЛАВА II. Математическая модель температурной зависимости
плотности энергетических состояний и определение дискретных
уровней. …….……………………………………………………………… 45
§2.1. Модель температурной зависимости плотности энергетических
состояний и спектр плотности энергетических состояний в
запрещенной зоне полупроводника………………………………………. 45
§2.2. Определение дискретных уровней на границе раздела
полупроводник-диэлектрик с помощью модели ………………..……… 61
§2.3. Спектр плотности поверхностных состояний МДП – структур
вблизи разрешенных зон полупроводника …………………………...…. 71
Выводы………………………………………………………...……………. 73
4
Глава III. Температурная зависимость термодинамической
плотности состояний и правило Урбаха ……………..………….......... 74
§3.1. Температурная зависимость плотности состояний в
длинноволновом краю фундаментального поглощения ………………... 74
§3.2. Исследование термодинамической плотности состояний и
правило Урбаха ……………………………………………………………. 81
Выводы……………………………….……………………………..……… 89
Глава IV. Определения спектра температурной зависимости
ширины запрещенной зоны полупроводника ………………………... 90
§4.1. Исследования температурной зависимости ширины запрещенной
зоны полупроводников с помощью модели.……….………….…………. 90
§4.2. Влияние эффективной массы плотности состояний на
температурную зависимость ширины запрещенной зоны ……………. 95
§4.3. Тепловое уширение состояний в полупроводниках и объяснение
противоположное изменение запрещенной зоны полупроводника с
изменением температуры ……………………………………………….… 114
Выводы……………………………….…………………..………………… 118
Глава V. Энергетические спектры сильнолегированных
полупроводников и полупроводниковых твердых растворов…….... 120
§5.1. Исследование ширины запрещенной зоны сильно легированных
полупроводниках ..………………………………………………………. 120
§5.2. Изменение энергетического спектра плотности состояний в
зависимости от концентрации примесей в полупроводниках ………….. 128
5
§5.3. Модель температурной зависимости ширины запрещенной зоны
полупроводниковых славах по изменении концентраций состава ……. 136
Выводы……………………………………………………………..….…… 150
ЗАКЛЮЧЕНИЕ………………………………………………………...…... 151
СПИСОК ОПУБЛИКОВАННЫХ РАБОТ………….................................. 153
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ………………….……. 157
ПРИЛОЖЕНИЯ ……………………………………………………............ 174
