ВВЕДЕНИЕ (АННОТАЦИЯ ДИССЕРТАЦИИ) 6
ГЛАВА 1. АНАЛИЗ ПРЕДШЕСТВУЮЩИХ РАБОТ ПО
САМООРГАНИЗАЦИИ ПРИМЕСЕЙ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ И
ТЕРМОДИНАМИЧЕСКОМУ ОБОСНОВАНИЮ ВОЗМОЖНОСТИ
СУЩЕСТВОВАНИЯ КОМПЛЕКСОВ ТИПА ВАКАНСИЯ И
ПРИМЕСЬ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ ТИПА A
III
B
V
13
§1.1. Синергетика как новое направление науки 13
§1.2. Предшествующие работы по процессам самоорганизации в
полупроводниках с глубокими примесями 16
§ 1.3. Термодинамика образования комплексов 22
Постановка задачи 25
ГЛАВА 2. ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИСТИКИ РЕКОМБИНАЦИИ В
ПОЛУПРОВОДНИКАХ СО СЛОЖНЫМИ ПЕРЕСТРАИВАЮЩИ-МИСЯ ЦЕНТРАМИ (КОМПЛЕКСАМИ) ТИПА МЕЛКИЙ ДОНОР
И ВАКАНСИЯ 27
§2.1. Основные статистики рекомбинации свободных носителей в
полупроводниках 27
§2.2. Статистика рекомбинации для полупроводников типа А
III
B
V
с
электронной природой, выращенных методом Чохральского 33
§2.3. Особенности времени жизни свободных носителей в
полупроводниках A
III
B
V
n-типа проводимости, выращенных
методом Чохральского 38
Выводы ко второй главе 44
ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕРМОСТИМУЛИРОВАННЫХ
СИНЕРГЕТИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ В n ПОЛУПРОВОДНИКАХ
ТИПА А
III
B
V
, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСКОГО 46
§3.1. Исследуемый материал и методика эксперимента 46
§3.2. Результаты эксперимента и их теоретический анализ 49
§3.3. Генерационно-рекомбинационные токи 61
Выводы к третьей главе 72
4
ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ИНЖЕКЦИОННЫХ
ДИФФУЗИОННЫХ РЕЖИМОВ В УСЛОВИЯХ
ИЗМЕНЯЮЩЕЙСЯ КОНЦЕНТРАЦИИ РЕКОМБИНАЦИОННЫХ
ЦЕНТРОВ
74
§4.1. Инжекционный диффузионный режим при насыщении
скорости рекомбинации и температурно-стимулированном
изменении концентрации рекомбинационных комплексов 74
§4.2. О возможности возникновения колебаний тока в условиях
диффузионно-дрейфового инжекционного режима 82
§4.3. Влияние периодического распределения концентрации
рекомбинационных центров на диффузионные инжекционные
процессы 89
§4.4. Термостимулированные процессы в структурах, созданных на
базе n-GaAs<Sn>, выращенного методом Чохральского 97
Выводы к четвертой главе 102
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 104
СПИСОК ОПУБЛИКОВАННЫХ РАБОТ 106
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ 111
