СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ И УСЛОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ………..... 5
ВВЕДЕНИЕ………………………………………………………………… 7
ГЛАВА I. НЕКОТОРЫЕ ОСОБЕННОСТИ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ В КРЕМНИИ
§1.1. Электрофизические свойства кремния, легированного примесями
переходных элементов …………………………...………………….. 18
§1.2. О глубоких уровнях, создаваемых примесями переходных
элементов в кремнии ………................................................................ 22
§1.3. Влияние термообработки на электрофизические свойства
кремния …………...…………………………………………………... 36
§1.4. Образование структурных дефектов в кремнии с различным
содержанием кислорода……………………………………………… 39
§1.5. Дефекты в кремнии, легированном пассивными примесями……… 50
Постановка задачи……………………...…………………………….. 53
ГЛАВА II. ОСОБЕННОСТИ НЕСТАЦИОНАРНОЙ ЕМКОСТ-НОЙ
СПЕКТРОСКОПИИ ДЕФЕКТОВ В ПРИСУТСТВИИ ГЛУБОКИХ
ЦЕНТРОВ В КРЕМНИИ
§2.1. Основы нестационарной емкостной спектроскопии в кремнии
при наличии глубоких уровней …………………………...…….…...
56
§2.2. Влияние полосы глубоких уровней на форму пиков DLTS ………. 63
§2.3. Методика измерения спектров DLTS в разных режимах ….……... 69
§2.4. Физико-химические аспекты и технология легирования кремния
примесями переходных элементов (T-ионов) ……………………...
73
Выводы к главе 2……………………………………………………... 77
ГЛАВА III. ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ
ДЕФЕКТНОЙ СТРУКТУРЫ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО
КРЕМНИЯ, ЛЕГИРОВАННОГО ПРИМЕСЯМИ Т-ИОНОВ4
§3.1. Процессы дефектообразования в кремнии, легированном
примесями Т-ионов …………………………………………............. 78
§3.2. Исследование эффективности образования глубоких центров,
создаваемых примесями Т-ионов ...............................…………….... 91
§3.3. Дефектообразование при низкотемпературном отжиге Si,
легированного примесями Т-ионов……………………………….. 96
§3.4. Влияние предварительной термообработки на
дефектообразование в кремнии с примесями Т-ионов………….. 107
Выводы к главе 3…………………………………………………….. 112
ГЛАВА IV. ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ РАЗВИТИЯ
ДЕФЕКТНОЙ СТРУКТУРЫ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО
КРЕМНИЯ, ЛЕГИРОВАННОГО ПРИМЕСЯМИ Т-ИОНОВ
§4.1. Исследование влияния предварительной термической обработки
на развитие дефектной структуры кремния……………………… 113
§4.2. Влияние термических обработок на развитие дефектной
структуры кремния, легированного Т-ионами ………...………….. 119
§4.3. Изучение роли состояния технологических примесей в
формировании дефектной структуры Si, легированного
переходными элементами……………………………………………. 123
§4.4. О дезактивации железа атомами гафния при их совместном
введении в кремний ……………………………………..………….. 129
Выводы к главе 4……………...………………..……………………. 134
ГЛАВА V. ВЛИЯНИЕ ВНЕШНИХ ФАКТОРОВ НА РАЗВИТИЕ
ДЕФЕКТНОЙ СТРУКТУРЫ КРЕМНИЯ С ПРИМЕСЯМИ Т-ИОНОВ
§5.1. Влияние марганца и железа на концентрационное
распределение примесей в кремнии.…………………………….. 135
§5.2. Дефектообразование в кремнии, легированном Т-ионами в
присутствии специально введенных активных и пассивных
примесей ……………………………………………………………… 1425
§5.3. Радиационное дефектообразование в кремнии, легированном
примесями Т-ионов…………………………………………………..
169
§5.4. Влияние всестороннего сжатия и одноосной деформации на
параметры кремния, легированного примесями Т-ионов ………..
178
Выводы к главе 5……………………………..………………….…... 186
ЗАКЛЮЧЕНИЕ………………………………………………………….…... 188
СПИСОК ПУБЛИКАЦИЙ ПО ДИССЕРТАЦИИ……………………….... 190
ЛИТЕРАТУРА……………………………………………………………..... 196
ПРИЛОЖЕНИЯ
Приложение 1. Заключение по диссертационной работе 1-го
Заместителя Председателя Правления АК «Узэлтехсаноат»..................... 209
Приложение 2. Справка об использовании результатов диссертации,
выданная Агентством по науке и технологиям…….................................... 210
