ОСНОВНЫЕ УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ И СОКРАЩЕНИЯ……….. 6
ВВЕДЕНИЕ…..……………………………………………………………… 8
ГЛАВА I. МАГНИТНЫЕ КВАНТОВЫЕ ЭФФЕКТЫ В
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИЯХ
ВНЕШНИХ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ………………………. 18
1.1.-§. Квантование уровней свободных носителей заряда в сильном
магнитном поле………………………...………………………...………….. 18
1.2.-§. Анализ экспериментальных данных квантовых осцилляционных
явлении в полупроводниковых структурах.……………………….............. 27
1.3.-§. Магнитные квантовые эффекты в электронных полупроводниках
при поглощении микроволнового излучения………………........................ 52
1.4.-§.Выводы к главе 1. Постановка задачи………………………………. 66
ГЛАВА II. ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ КВАНТОВЫХ
ЭФФЕКТОВ В УЗКОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ……………. 68
2.1-§. Температурная зависимость осцилляций продольной электропроводности в узкозонных полупроводниках…………………...…………… 68
2.2-§. Зависимость осцилляций продольной электропроводности от
ширины запрещенной зоны в узкозонных полупроводниках……...……... 71
2.3-§. Исследование осцилляций магнитной восприимчивости в узкозонных полупроводниках при различных температурах……...………… 76
2.4-§. Определение зависимости амплитуды осцилляций продольной
магнитной восприимчивости от температуры в узкозонных
полупроводниках……….…………………………….……………………… 85
2.5-§. Влияние температуры на осцилляции электронной теплоемкости
и сравнение теории с экспериментальными результатами……………….. 88
Выводы ко второй главе ……………………………………………………. 974
ГЛАВА III. МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ОСЦИЛЛЯЦИЙ ШУБНИКОВА-ДЕ ГААЗА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ ПРИ
ВОЗДЕЙСТВИЕ ВНЕШНИХ ПОЛЕЙ……...…………………………… 98
3.1-§. Сравнение распределений функции Лоренца, Гаусса и производной функции Ферми-Дирака по энергии при различных
температурах……............................................................................................. 99
3.2-§. Температурная зависимость спектральной плотности состояний в
полупроводниках в квантующих магнитных полях …………………… 107
3.3-§. Математическое моделирование осцилляций Шубникова-де Гааза
в узкозонных полупроводниках под действием температуры и
поглощения микроволнового излучения…………………………………... 110
3.4-§.Сравнение теории с экспериментальными результатами…………... 123
Выводы к третьей главе……………………………………………………... 126
ГЛАВА IV. ЭДС, ВОЗНИКАЮЩАЯ В p-n-ПЕРЕХОДЕ ПРИ
ПОГЛОЩЕНИИ МИКРОВОЛНОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ И СВЕТА… 127
4.1-§. Связь ВАХ p-n-перехода с возникающей ЭДС и внутренним
сопротивлением диода ……….…………………………………………….. 128
4.2-§. Определение зависимости ЭДС p-n-перехода в СВЧ поле от
внешнего напряжения……………………………………………………….. 134
4.3-§. Исследование зависимости внутреннего сопротивления и ЭДС pn-перехода от тока при освещении светом и СВЧ воздействии………..... 139
Выводы к четвертой главе…………………………………………………... 140
ГЛАВА V. ТЕРМОСТИМУЛИРОВАННЫЕ ФОТОТОКИ В p-nПЕРЕХОДАХ………………………………………………………………... 143
5.1-§. Расчет примесных фототоков короткого замыкания через p-nпереходы……………………………………………………………...……..... 143
5.2-§. Влияние температуры на примесный фотовольтаический эффект в
p-n-переходе……………………………………….......................................... 1465
5.3-§. Сравнение теории с экспериментом ………………………………… 148
Выводы к пятой главе ………………………………………………............. 151
ЗАКЛЮЧЕНИЕ…………………………………………………………….. 152
СПИСОК ОПУБЛИКОВАННЫХ РАБОТ……..................................... 154
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ………. …………… 160
ПРИЛОЖЕНИЯ ………………………………………………………........ 182
