01.04.04 Физик электроника

01.04.04 Физик электроника

ЗАКОНОМЕРНОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ И ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА НАНОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР, СОЗДАННЫХ НА ПОВЕРХНОСТИ И В ПРИПОВЕРХНОСТНОЙ ОБЛАСТИ Мо И Si МЕТОДОМ ИОННОЙ БОМБАРДИРОВКИ
ЗАКОНОМЕРНОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ И ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА НАНОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР, СОЗДАННЫХ НА ПОВЕРХНОСТИ И В ПРИПОВЕРХНОСТНОЙ ОБЛАСТИ Мо И Si МЕТОДОМ ИОННОЙ БОМБАРДИРОВКИ
80 000 UZS
Автор
ЭРГАШОВ ЁКУБ СУВОНОВИЧ
Количество страниц
Год
2017
ЭЛЕКТРОННАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ И МИКРОСКОПИЯ ПОВЕРХНОСТИ БИНАРНЫХ МАТЕРИАЛОВ (PdBa, CoSi2 И GaAs), ИМПЛАНТИРОВАННЫХ ИОНАМИ НИЗКИХ ЭНЕРГИИ
ЭЛЕКТРОННАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ И МИКРОСКОПИЯ ПОВЕРХНОСТИ БИНАРНЫХ МАТЕРИАЛОВ (PdBa, CoSi2 И GaAs), ИМПЛАНТИРОВАННЫХ ИОНАМИ НИЗКИХ ЭНЕРГИИ
80 000 UZS
Автор
ДОНАЕВ САРДОР БУРХАНОВИЧ
Количество страниц
Год
2017
ЭЛЕКТРОННАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ И МИКРОСКОПИЯ ПОВЕРХНОСТИ БИНАРНЫХ МАТЕРИАЛОВ (PdBa, CoSi2 И GaAs), ИМПЛАНТИРОВАННЫХ ИОНАМИ НИЗКИХ ЭНЕРГИИ
ЭЛЕКТРОННАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ И МИКРОСКОПИЯ ПОВЕРХНОСТИ БИНАРНЫХ МАТЕРИАЛОВ (PdBa, CoSi2 И GaAs), ИМПЛАНТИРОВАННЫХ ИОНАМИ НИЗКИХ ЭНЕРГИИ
80 000 UZS
Автор
ДОНАЕВ САРДОР БУРХАНОВИЧ
Количество страниц
Год
2017
ФИЗИКО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ФОРМИРОВАНИЯ И ЭЛЕКТРОННО-ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА НАНОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР, СОЗДАННЫХ В ПРИПОВЕРХНОСТНЫХ СЛОЯХ КРИСТАЛЛОВ Nb, Si, СdTe ИСaF2 ИОННОЙ БОМБАРДИРОВКОЙ
ФИЗИКО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ФОРМИРОВАНИЯ И ЭЛЕКТРОННО-ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА НАНОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР, СОЗДАННЫХ В ПРИПОВЕРХНОСТНЫХ СЛОЯХ КРИСТАЛЛОВ Nb, Si, СdTe ИСaF2 ИОННОЙ БОМБАРДИРОВКОЙ
80 000 UZS
Автор
ЭРГАШОВ ЁКУБ СУВОНОВИЧ
Количество страниц
Год
2020
КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА И ПАРАМЕТРЫ РЕШЕТОК МОНОСЛОЙНЫХ ПЛЕНОК МЕТАЛЛОВ И ТОНКИХ СЛОЕВ ГЕРМАНИЯ НА ПОВЕРХНОСТИ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ
КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА И ПАРАМЕТРЫ РЕШЕТОК МОНОСЛОЙНЫХ ПЛЕНОК МЕТАЛЛОВ И ТОНКИХ СЛОЕВ ГЕРМАНИЯ НА ПОВЕРХНОСТИ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ
80 000 UZS
Автор
НИМАТОВ САМАД ЖАЙСАНОВИЧ
Количество страниц
Год
2020
ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ГРАНУЛИРОВАННОГО КРЕМНИЯ
ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ГРАНУЛИРОВАННОГО КРЕМНИЯ
80 000 UZS
Автор
АДИЛОВ МУХАММАДЖОН МАШАРИБОВИЧ
Количество страниц
Год
2019
ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ СВОЙСТВА КЛАСТЕРНЫХ ИОНОВ, РАСПЫЛЕННЫХ С ПОВЕРХНОСТИ ПОД ДЕЙСТВИЕМ ИОННОЙ БОМБАРДИРОВКИ
ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ СВОЙСТВА КЛАСТЕРНЫХ ИОНОВ, РАСПЫЛЕННЫХ С ПОВЕРХНОСТИ ПОД ДЕЙСТВИЕМ ИОННОЙ БОМБАРДИРОВКИ
80 000 UZS
Автор
МАКСИМОВ СЕРГЕЙ ЕВЛАНТИЕВИЧ
Количество страниц
Год
2020
ИОННО-ПЛАЗМЕННОЕ ФОРМИРОВАНИЕ НАНОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР КРЕМНИЯ И КРЕМНИЕВЫХ СОЕДИНЕНИЙ
ИОННО-ПЛАЗМЕННОЕ ФОРМИРОВАНИЕ НАНОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР КРЕМНИЯ И КРЕМНИЕВЫХ СОЕДИНЕНИЙ
80 000 UZS
Автор
АШУРОВ РУСТАМ ХАТАМОВИЧ
Количество страниц
Год
2019
РАЗВИТИЕ ИОНИЗАЦИОННЫХ МЕТОДОВ ВЫСОКОЧУВСТВИТЕЛЬНОГО ОБНАРУЖЕНИЯ И АНАЛИЗА ТРУДНОЛЕТУЧИХ ОРГАНИЧЕСКИХ СОЕДИНЕНИЙ
РАЗВИТИЕ ИОНИЗАЦИОННЫХ МЕТОДОВ ВЫСОКОЧУВСТВИТЕЛЬНОГО ОБНАРУЖЕНИЯ И АНАЛИЗА ТРУДНОЛЕТУЧИХ ОРГАНИЧЕСКИХ СОЕДИНЕНИЙ
80 000 UZS
Автор
УСМАНОВ ДИЛШАДБЕК ТУРСУНБАЕВИЧ
Количество страниц
Год
2018
СТИМУЛИРОВАНИЕ ВТОРИЧНОЙ ОТРИЦАТЕЛЬНОЙ ИОННОЙ ЭМИССИИ МАТЕРИАЛОВ РАЗЛИЧНОЙ ПРИРОДЫ ИМПЛАНТАЦИЕЙ ИОНОВ ЩЕЛОЧНЫХ МЕТАЛЛОВ И НАГРЕВОМ
СТИМУЛИРОВАНИЕ ВТОРИЧНОЙ ОТРИЦАТЕЛЬНОЙ ИОННОЙ ЭМИССИИ МАТЕРИАЛОВ РАЗЛИЧНОЙ ПРИРОДЫ ИМПЛАНТАЦИЕЙ ИОНОВ ЩЕЛОЧНЫХ МЕТАЛЛОВ И НАГРЕВОМ
80 000 UZS
Автор
МУХТАРОВ ЗИЯДУЛЛА ЭРГАШЕВИЧ
Количество страниц
Год
2019
ГАФНИЙ ЁКИ ЦИРКОНИЙ АТОМЛАРИ ВА ПАРДАЛАРИНИ МЕТАЛЛ-БАРИЙ ВА МЕТАЛЛ-КИСЛОРОД-БАРИЙ СИСТЕМАЛАРИНИНГ ЭМИССИОН ХОССАЛАРИГА ТАЪСИРИ
ГАФНИЙ ЁКИ ЦИРКОНИЙ АТОМЛАРИ ВА ПАРДАЛАРИНИ МЕТАЛЛ-БАРИЙ ВА МЕТАЛЛ-КИСЛОРОД-БАРИЙ СИСТЕМАЛАРИНИНГ ЭМИССИОН ХОССАЛАРИГА ТАЪСИРИ
80 000 UZS
Автор
ТУРГУНБОЕВ ФАРХОД ЮСУПЖАНОВИЧ
Количество страниц
Год
2018
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3