Оглавление
Введение.........................................................................................................................................5
ГЛАВА I. КРАТКИЙ ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР....................................................................16
1.1. Модификация свойств поверхности Мо ионной бомбардировкой и плазменным
излучением...................................................................................................................................16
1.2. Перспективные наноразмерные полупроводниковые структуры ...................................27
1.3. Влияние размеров и формирование трехкомпонентных структур на свойства СdTe ...47
1.4. Выводы из обзора .................................................................................................................66
ГЛАВА II. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ ...........................70
2.1. Конструкция универсального экспериментального базового прибора...........................70
2.2. Устройство и принцип работы вакуумного поста ВУП-5М ............................................75
2.3. Методика исследования спектров вторичных электронов...............................................80
2.4. Ультрафиолетовый фотоэлектронный спектрометр.........................................................82
2.5. Спектрофотометрические исследования Еg и размеров нанофаз....................................83
2.6. Методы исследования морфологии и кристаллической структуры нанокристаллов и
нанопленок ...................................................................................................................................83
2.7. Подготовка образцов к эксперименту ................................................................................87
Выводы по главе II ......................................................................................................................88
ГЛАВА III. ИЗМЕНЕНИЕ СОСТАВА, ЭЛЕКТРОННОЙ СТРУКТУРЫ, ЭМИССИОННЫХ
И ОПТИЧЕСКИХ СВОЙСТВ Nb и Мо ПРИ БОМБАРДИРОВКЕ ИОНАМИ НИЗКИХ
ЭНЕРГИЙ.....................................................................................................................................89
3.1. Механизмы изменения эмиссионных и оптических свойств Nb и Мо при
бомбардировке ионами низких энергий....................................................................................89
3.2. Фото- и вторично – электронная спектроскопия Nb, имплантированных ионами
активных металлов ......................................................................................................................96
3.3. Фотоэлектронная спектроскопия поверхности ионно-имплантированных
монокристаллов Nb и Mo..........................................................................................................103
3.4. Теоретические исследования процессов рассеяния ионов с поверхности молибдена.
Сравнение с экспериментом.....................................................................................................105
3.5. Влияние прогрева ионно-легированного Nb, Mo в высоком вакууме и в атмосфере
кислорода ...................................................................................................................................115
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ III.............................................................................................................123
ГЛАВА IV. КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ И ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА НАНОФАЗ И
СЛОЕВ Si, СОЗДАННЫХ НА ПОВЕРХНОСТИ И ПРИПОВЕРХНОСТНОЙ ОБЛАСТИ
МАТЕРИАЛОВ РАЗЛИЧНОЙ ПРИРОДЫ ............................................................................124
4.1. Экспериментальное и теоретическое исследование влияние бомбардировки ионами
Ar+
на спектр валентных электронов монокристалла Si (111)..............................................125
4.2. Электронная структура наноразмерных фаз Са/СaF2 и Si/СaF2 сформированных при
ионной бомбардировке и высоковакуумном напылении ......................................................129
4.3. Критические размеры проявления квантово-размерных эффектов на двух и
трехслойных нанофазах СoSi2, созданных на различных глубинах Si ................................135
4.4. Параметры энергетических зон наноразмерных структурSi,созданных наповерхности
СoSi2/Si (111) бомбардировкой ионами Ar+
............................................................................1433
ВЫВОДЫ ПО ГЛАВЕ IV .........................................................................................................151
ГЛАВА V. ВЛИЯНИЕ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ И ОТЖИГА НА СОСТАВ,
ЭМИССИОННЫЕ И ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА, КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ И
ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА СdTe......................................................................................153
5.1. Влияние микронеровностей поверхности на состав и электронные свойства пленок
СdTe/Mo (111)............................................................................................................................153
5.2. Исследования процесса формирования и электронной структуры наноразмерных фаз и
пленок СdxМe1-xТе, созданных на поверхности СdTe/Mo (111)...........................................159
5.3. Состав, структура и электронные свойства СdTe с наноразмерными фазами,
созданные в приповерхностном слое имплантацией ионов Ва+
...........................................171
ВЫВОДЫ ПО ГЛАВЕ V...........................................................................................................178
ЗАКЛЮЧЕНИЕ..........................................................................................................................180
ЛИТЕРАТУРА ...........................................................................................................................183
