СПИСОК УСЛОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ, ЕДИНИЦ, СИМВОЛОВ И
ТЕРМИНОВ…………...……………………………..………………… 5
ВВЕДЕНИЕ……………………………..…………………………….……... 8
ГЛАВА I. О СТАТИЧЕСКИХ И ДИНАМИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИКАХ МНОГОСЛОЙНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ
СТРУКТУР С ОТРИЦАТЕЛЬНЫМ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫМ
СОПРОТИВЛЕНИЕМ………………………………………..…..……. 17
§1.1. Достижения в области исследования динамических режимов
работы полупроводниковых структур с нелинейной ВАХ………… 18
§1.2. Теоретические исследования статических характеристик полупроводниковых структур с компенсированной базой…………………... 21
§1.3. Динамические характеристики диодов с ОДС на ВАХ…………… 26
§1.4. Некоторые особенности многослойных периодических структур…. 29
Постановка задачи………………………………………………….……….. 39
ГЛАВА II. ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ ОДС В ДЛИННЫХ
ДИОДАХ С КОМПЕНСИРОВАННОЙ БАЗОЙ…………………… 41
§2.1. Одномерная модель диода с компенсированной базой…………… 41
§2.2. Расчет комплексного сопротивления диода с компенсированной
базой…………………………………………………………………… 47
§2.3. Алгоритм численного расчета статической и динамической характеристики компенсированного полупроводника…………………… 48
Выводы ко второй главе …………………...……….………………………. 58
ГЛАВА III. ФОРМИРОВАНИЕ ОДС В МПС ПРИ ПРИЛОЖЕНИИ
ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО НАПРЯЖЕНИЯ ВДОЛЬ ГРАНИЦЫ
РАЗДЕЛЕННЫХ СЛОЕВ…................................................................... 59
§3.1. Физическая модель диода с многослойным гетеропереходом
(продольный эффект)……………..………………………………….. 59
§3.2. Статическая вольтамперная характеристика многослойной гетероструктуры при продольном эффекте…………...…………………… 62
§3.3. Расчет комплексной дифференциальной проводимости
структур n–n
+………………………………………………………….. 69
§3.4. Комплексная дифференциальная проводимость…….…….……….... 72
§3.5. Анализ частотных характеристик дифференциальной проводимости структуры n–n
+……………………………………………...………. 734
Выводы к третьей главе…………………….………………..….....…...…… 75
ГЛАВА IV. ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКАЯ ТЕОРИЯ ФОРМИРОВАНИЯ
ФОТО-ЭДС В МНОГОСЛОЙНОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ
СТРУКТУРЕ .………….……………………………….....……………. 76
§4.1. Электростатическая теория оптоэлектронных процессов в многослойных периодических полупроводниковых структурах……...…. 76
§4.2. Прозрачность потенциального барьера Томаса-Ферми…….....…… 83
§4.3. Плотность тока в системе полупроводник – вакуум……….……..... 89
§4.4. Расчет потенциальной энергии электрона в контактной области….. 93
§4.5. Расчет частотной характеристики фото-ЭДС и анализы…....…..…. 96
Выводы к четвертой главе………………………………………………….. 102
ГЛАВА V. РАСЧЁТ РЕЗОНАНСНЫХ ЧАСТОТ ЭЛЕКТРОНОВ,
НАХОДЯЩИХСЯ В КОНТАКТНОЙ ОБЛАСТИ ДВУХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ………………………………….……………...……. 104
§5.1. Осцилляция в результате индукционных сил системе ядроэлектрон-ядро………………………………………………..……..…... 107
§5.2. Колебания электронов в потенциальном поле Томаса-Ферми…..... 109
§5.3. Электрическая эквивалентная схема контакта……...……………… 111
§5.4. Сопоставление теории с экспериментальными данными………….. 114
Выводы к пятой главе……………………..………………...…….……….. 116
ЗАКЛЮЧЕНИЕ……………………………………………………………... 117
СПИСОК ОПУБЛИКОВАННЫХ РАБОТ………………………………… 119
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ………………...……… 122
Приложение 1. Справка об использовании результатов диссертации,
выданная Акционерном обществом «Узэлтехсаноат»…….………… 129
Приложение 2. Справка об использовании результатов диссертации,
выданная Акционерном обществом «Новосибирский полупроводниковый приборный завод»…..…..………………...……………...….. 130
