ВЫРАЩИВАНИЕ ВАРИЗОННЫХ СЛОЕВ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ КРЕМНИЙ-АНТИМОНИД ГАЛЛИЯ, КРЕМНИЙ-ФОСФИД ГАЛЛИЯ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СТРУКТУР НА ИХ ОСНОВЕ

ВВЕДЕНИЕ ……………………………………………………………………. 5
ГЛАВА I. СОВРЕМЕННОЕ СОСТОЯНИЕ ВЫРАЩИВАНИЯ АНТИМОНИДА ГАЛЛИЯ И ФОСФИДА ГАЛЛИЯ НА ИНОРОДНЫХ ПОДЛОЖКАХ …………………………………………………………..
13
1.1 Выращивание GaSb на инородных подложках ………………………… 13
1.2 Возможности образования твердых растворов (С2
4
)1-x(А3В
5
)x в зависимости от обобщенных моментов молекул взаимозамещающих компонентов …………………………………………………………………... 19
Выводы по главе 1...................................................... 25
Постановка задачи 25
ГЛАВА II.ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ОБОСНОВАНИЕ ВОЗМОЖНОСТИ ОБРАЗОВАНИЯ НЕПРЕРЫВНЫХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ ЗАМЕЩЕНИЯ
(GaSb)1-x-у(Si2)x(GaAs)y, (Si2)1-x(GaP)x, И ИЗУЧЕНИЕ ФИЗИЧЕСКИХ
ОСОБЕННОСТЕЙ ИХ ВЫРАЩИВАНИЯ НА КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖКАХ………………………………………………….
27
2.1 Изучение возможности образования твердого раствора замещения
(Si2)1-x(GaP)x(0 x 1) и (Si2)1-x(GaSb)x(0 x 1) ……………………. 27
2.2 Исследование влияния соединений А3В
5
на растворимость кремния в
олове и галлии ……………………………………………………………. 33
2.3 Физико-технологические основы получения монокристаллов антимонида галлия методом Чохральского...…………………………………… 37
2.4 Установка для выращивания эпитаксиальных пленок…………………. 42
2.5 Изучение физических особенностей изготовления p-Si–n-(Si2)1-
x(GaP)x(0 x 1) структур на кремниевых подложках…………………………
46
2.6 Выращивание эпитаксиальной пленки твердого раствора
n-(GaSb)1-x-у(Si2)x(GaAs)yn-(GaSb) (0 ≤ x≤ 0,074; 0 ≤ y≤ 0,005) на
кремниевых подложках…………………………………………………... 53
Выводы по главе 2 ……………………………………………………….. 55
ГЛАВА III. ИЗУЧЕНИЕ СТРУКТУРНЫХ, МОРФОЛОГИЧЕСКИХ, 4
ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ, ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И ИЗЛУЧАТЕЛЬНЫХ
СВОЙСТВ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК ТВЕРДОГО РАСТВОРА
(Si2)1-x(GaP)x И ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ИХ ОСНОВЕ ………
56
3.1 Химический состав и поверхностный рельеф эпитаксиальных пленок
твердого раствора (Si2)1-x(GaP)x, выращенных на кремниевых подложках ……………………………………………………………………. 56
3.2 Структурные особенности эпитаксиального слоя твердого раствора
(Si2)1-x(GaP)х, выращенного на кремниевых подложках ……………….. 59
3.3 Фотоэлектрические и люминесцентные свойства эпитаксиальных
пленок (Si2)1-Х(GaP)Х и p-Si-n-(Si2)1-X(GaP)Xструктур …………………. 65
3.4 Вольтамперная характеристика p-Si–n-(Si2)1-x(GaP)x структур………... 69
3.5 Излучательные свойства n-GaPn
+-
(Si2)x(GaP)1-x структур ……………. 75
Выводы по главе 3 ………………………………………………………... 76
ГЛАВА IV. ХИМИЧЕСКИЙ СОСТАВ, ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК ТВЕРДОГО РАСТВОРА (GaSb)1-x-у(Si2)x(GaAs)y И ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ИХ
ОСНОВЕ ………………………….………………………….. 78
4.1 Исследования химического состава поверхности и скола эпитаксиальных слоев твердых растворов (GaSb)1-x-у(Si2)x(GaAs)y, выращенных
на кремниевых подложках ………………………………………………. 78
4.2 Спектральная фоточувствительность p-Si-n-(GaSb)1-x-у(Si2)x(GaAs)yи
p-Si-n-(GaSb)1-x-у(Si2)x(GaAs)y-n-(GaSb) структур ……………………… 79
4.3 Перенос тока и эффект инжекционного обеднения в p-Si-n-(GaSb)1-xу(Si2)x(GaAs)y-n-(GaSb) (0 ≤ x ≤ 0,074; 0 ≤ y ≤ 0,005) структуре ………. 83
Выводы по главе 4 ……………………………………………………….. 90
ЗАКЛЮЧЕНИЕ ……………………………………………………...... 91
СПИСОК ОПУБЛИКОВАННЫХ РАБОТ…….……………..…….. 92
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ………….…..…. 96
ОСНОВНЫЕ УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ И СОКРАЩЕНИЯ 105
ПРИЛОЖЕНИЯ 107