ВВЕДЕНИЕ…..……………………………………………………………… 5
ГЛАВА 1. СОСТОЯНИЕ ПРОБЛЕМЫ И ТЕНДЕНЦИИ ПОВЫШЕНИЯ
ЭФФЕКТИВНОСТИ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ...................................
11
§1.1. Нынешнее состояние и развитие солнечной энергетики.………….. 12
§1.2. Факторы влияющие на эффективность солнечных элементов.…… 15
§1.3. Исследования направленные на увеличение эффективности и удешевление солнечных элементов.…...……………………………….. 18
§1.4. Постановка задачи…………………………………………………….. 23
ГЛАВА 2. РАЗРАБОТКА И ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ
СВОЙСТВ НОВОЙ КОНТАКТНОЙ СТРУКТУРЫ………...……………. 24
§ 2.1. Электронный спектр изолированного нановключения в модели
сферически симметричной прямоугольной бесконечной
потенциальной ямы.………………………………………..………… 26
§2.2. Электронный спектр нановключения в модели сферически симметричной параболической потенциальной ямы.………….…….... 30
§ 2.3. Этапы формирования новой контактной структуры.………..…….. 33
§ 2.4. Факторы выбора материала подложки.………………….…………. 37
§ 2.5. Параметры материала и размеры нанокластеров.….......…………... 40
Выводы к второй главе……………………………………………………… 46
ГЛАВА 3. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ОСНОВНЫХ ПАРАМЕТРОВ НОВОЙ
КОНТАКТНОЙ СТРУКТУРЫ ……………………………………………..
47
§ 3.1. Физика роста наноструктур на поверхности подложки….……….... 47
§ 3.2. Зависимость контактной разности потенциала от поперечного
размера нано включений………………………………...……………. 52
§ 3.3. Роль мелких и глубоких примесей в формировании новой контактной структуры…………………………………………………….. 58
§ 3.4. Определение длины области пространственного заряда в новой
контактной структуре………………………………..………………... 594
§ 3.5. Определение параметров напряжѐнности электростатического поля новой контактной структуры..………………………………….... 61
§ 3.6. Определение параметров потенциала в новой контрактной структуре. ……………..……………………………………………………. 69
Выводы к третьей главе……………………………………………………... 77
ГЛАВА 4. МЕХАНИЗМЫ ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКОГО ПРЕОБРАЗОВАНИЯ И ТРАНСПОРТА ТОКОНОСИТЕЛЕЙ В НОВОЙ КОНТАКТНОЙ СТРУКТУРЕ……………………………………………………….…... 79
§ 4.1. Механизм поглощения инфракрасного диапазона солнечного
излучения …………………………………………………………......... 79
§ 4.2. Специфика прыжковой электропроводности …………...…………..
90
§ 4.3. Величина туннельного тока ………………………………………….
95
§ 4.4. Расчет туннельной прозрачности потенциального барьера………..
97
§ 4.5. Механизм расширения спектра эффективного поглощения в фиолетовую область.……………………………………………………… 101
§ 4.6. Расчет фотоэлектрических параметров солнечной панели на основе новых контактных структур……………………………...…….… 106
Выводы к четвѐртой главе……………………………...…….……….…...... 108
ЗАКЛЮЧЕНИЕ……………………………………………………….…….. 111
СПИСОК ОПУБЛИКОВАННЫХ РАБОТ……..…....................................... 113
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ …................................... 116
