| Основные условные обозначения и сокращения…………………………… | 5 |
| ВВЕДЕНИЕ……………………………………………………….………........ | 6 |
| ГЛАВА I. ВЫПРЯМИТЕЛЬНО-ОГРАНИЧИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ: СОВРЕМЕННОЕ СОСТОЯНИЕ И ТЕНДЕНЦИИ РАЗВИТИЯ | 13 |
| §1.1. Выпрямительно-ограничительные диоды и их основные электри ческие характеристики…………………………………………... | 14 |
| §1.2. Способы улучшения функциональных параметров выпрямительно ограничительных диодов……………………………………………….. | 28 |
| §1.3. Различные подходы увеличения выдерживаемой мощности различных диодов и ограничителей напряжения……………………. | 33 |
| Постановка задачи……………………………………………………………. | 42 |
| ГЛАВА II. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ И КОНСТРУКТИВНЫЕ ОСОБЕН НОСТИ ОБЪЕКТОВ ИССЛЕДОВАНИЯ, А ТАКЖЕ МЕТО ДИКИ ИХ ИССЛЕДОВАНИЯ……………………………………. | 44 |
| §2.1. Технологические особенности объектов исследования ……..……….. | 45 |
| §2.2. Методика исследования ключевых параметров кремниевых выпря мительно-ограничительных и выпрямительных диодов под воздействием радиационного облучения……………………………… | 53 |
| §2.3. Усовершенствованная схема для исследования прямой и обратной Ветви ВАХ силовых диодов……………………………………………… | 56 |
| Выводы ко второй главе……………………………………….………............. | 64 |
| ГЛАВА III. ВЛИЯНИЕ РАДИАЦИОННЫХ ВОЗДЕЙСТВИЙ НА ВОЛЬТ АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И МЕХАНИЗМЫ ТОКО ПЕРЕНОСА КРЕМНИЕВЫХ СИЛОВЫХ ДИОДОВ................. | 65 |
| §3.1. Исследование влияния гамма излучения на статические характе ристики кремниевого эпитаксиально-диффузионного диода сред ней мощности установленного в металлостеклянный корпус ......... | 65 |
| §3.2. Влияние гамма облучения на прямое падение напряжения и об ратные токи выпрямительного диода средней мощности................... | 74 |
| §3.3. Исследование влияния нейтронного облучения на емкостные характеристики кремниевого ограничительного p+nn+- диода……………………………………………..………………..….. | 81 |
| Выводы к третьей главе ..……………………………………….……..…….. | 87 |
| ГЛАВА IV. СПОСОБЫ УПРАВЛЕНИЯ ФУНКЦИОНАЛЬНЫМИ ПАРАМЕТРАМИ КРЕМНИЕВЫХ ДИОДОВ СРЕДНЕЙ МОЩНОСТИ……..……………………………………………... | 88 |
4
| §4.1. Радиационно-термический способ управления дифференциальным сопротивлением кремниевого р++рnn++ диода………………………. | 89 |
| §4.2. Изучение процессов оптимизации параметров диффузионной кремниевой р++рnn++ структуры ….……..………………………... | 90 |
| §4.3. Исследование механизма токопереноса в кремниевой р++рnn++ структуры при облучении электронами……………………………... | 94 |
| §4.4. Сравнительный анализ влияния конструктивных параметров на токовые характеристики диффузионных кремниевых структур р++рnn++ и ррс++р++рnn++ ……………………………………. ..………... | 103 |
| Выводы к четвертой главе ………………………………………………..…. | 111 |
| ЗАКЛЮЧЕНИЕ…………………………….………………………………… | 112 |
| СПИСОК ОПУБЛИКОВАННЫХ РАБОТ.……….………………………… | 115 |
| СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ……………………….… | 116 |
| Приложении 1,2,3,4,5,6..………………………….……………………….. .. | 126 |
