| ВВЕДЕНИЕ | 6 | |
| ГЛАВА 1. ПОЛУЧЕНИЕ, СВОЙСТВА, ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИ СТИКИ И ТЕНДЕНЦИЯ РАЗВИТИЯ ИНЖЕКЦИОННЫХ ФОТОПРИЕМНИКОВ | 15 | |
| §1.1. | Инжекционные фотоприемники, их свойства, основные харак теристики и тенденция развития | 15 |
| §1.2. | История и развитие инжекционных фотоприемников | 17 |
| §1.3. | Инжекционные фотодиоды с дрейфовым переносом носителей заряда и механизмы усиления | 18 |
| §1.4. | Инжекционные фотодиоды на основе Ge и Si | 23 |
| §1.5. | Инжекционные фотодиоды на основе полупроводниковых соединений А3В5 | 25 |
| §1.6. | Инжекционные фотодиоды с варизонной базой на основе по лупроводниковых соединений А3В5 | 26 |
| §1.7. | Инжекционные фотодиоды на основе полупроводниковых со единений A2B6 | 28 |
| §1.8. | Основные характеристики инжекционных фотодиодов | 35 |
| Постановка задачи исследования | 39 | |
| ГЛАВА 2. ИЗГОТОВЛЕНИЕ ОБРАЗЦОВ ИНЖЕКЦИОННЫХ ФОТОПРИЕМНИКОВ НА ОСНОВЕ n+CdS – nCdS – рSi И n +CdS – nCdS – nSi-ГЕТЕРОСТРУКТУР, ИЗМЕРЕНИЕ ИХ ОСНОВНЫХ ПАРАМЕТРОВ | 40 | |
| §2.1. | Термовакуумный метод получения тонких пленок CdS | 41 |
| §2.2. | Влияние предростовой обработки поверхности подложек на электрофизические свойства полученных на них слоев и струк тур на их основе | 47 |
| §2.3. | Получение n+CdS – nCdS – pSi- и n+CdS – nCdS – nSi гетероструктур вакуумным напылением | 48 |
| §2.4. | Определение распределения химических элементов по тол щине слоя nCdS и измерение их основных параметров | 53 |
| §2.5. | Определение плотности поверхностных состояний в гетеро структурах pSi – nCdS – n+CdS и nSi – nCdS – n+CdS | 58 |
| §2.6. | Зонная энергетическая диаграмма гетероструктуры pSi – nCdS – n +CdS | 64 |
4
| §2.7. | Методы исследования вольтамперных и оптических характери стик pSi – nCdS – n+CdS и nSi – nCdS – n+CdS-гетероструктур | 66 |
| Выводы к главе 2 | 68 | |
| ГЛАВА 3. СПЕКТРАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ pSi – nCdS – n+CdS И nSi – nCdS – n+CdS-ГЕТЕРОСТРУКТУР | 69 | |
| §3.1. | Спектральная фоточувствительность pSi – nCdS – n+CdS- гете роструктуры в прямом направлении смещения | 69 |
| §3.2. | Спектральная фоточувствительность pSi – nCdS – n+CdS гетероструктуры в обратном направлении смещения | 74 |
| §3.3. | Спектральная зависимость фототока pSi – nCdS – n+CdS-гете роструктуры в обратном направлении смещения | 79 |
| §3.4. | Спектральная зависимость фототока n+CdS – nCdS – nSi-гете роструктуры | 83 |
| Выводы к главе 3 | 85 | |
| ГЛАВА 4. ВОЛЬТАМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ n+CdS – nCdS – pSi И n+CdS – nCdS – nSi – In-ГЕТЕРОСТРУКТУР И МЕХАНИЗМЫ ПЕРЕНОСА ТОКА | 87 | |
| §4.1. | Темновые и световые вольтамперные характеристики pSi – nCdS – n+CdS-гетероструктуры | 87 |
| §4.2. | Влияние интенсивности освещения на прямую ВАХ n+CdS – nCdS – pSi-гетероструктуры и механизм усиления фототока | 91 |
| §4.3. | Световая вольтамперная характеристика pSi – nCdS – n+CdS гетероструктуры при обратном напряжении смещения | 95 |
| §4.4. | Световая вольтамперная характеристика pSi – nCdS – n+CdS гетероструктуры при прямом напряжении смещения | 99 |
| Выводы к главе 4 | 107 | |
| ЗАКЛЮЧЕНИЕ | 108 | |
| СПИСОК ОПУБЛИКОВАННЫХ РАБОТ | 110 | |
| СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ | 111 | |
| ПРИЛОЖЕНИЕ I | 118 | |
| ПРИЛОЖЕНИЕ II | 119 |
