ВВЕДЕНИЕ………………………………………………....………… 5
ГЛАВА I. СОВРЕМЕННОЕ СОСТОЯНИЕ ТЕХНОЛОГИИИ
ВЫРАЩИВАНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ (GaAs)1-xy(ZnSe)x(Ge2)y………..............................................................................
13
§ 1. Теоретические основы образования непрерывных твердых
растворов замещения на основе двухатомной молекулы C2
4
и
соединений A3B
5
и A2B
6
........................................................................ 13
§ 2. Состояние технологии выращивания твердых растворов
замещения (Ge2)1-y(GaAs)y, (Si2)1-x(GaAs)х, (Ge2)1-y(ZnSe)y и
(GaAs)1-
х(ZnSe)х....................................................................................................
18
§ 3. Структура и морфология твердых растворов замещения (Ge2)1-
y(GaAs)y, (Si2)1-x(GaAs)х, (Ge2)1-y(ZnSe)y и (GaAs)1-
х(ZnSe)х.................................................................................................... 23
§ 4. Электрофизические и фотоэлектрические исследования твердых
растворов замещения (Ge2)1-y(GaAs)y, (Si2)1-x(GaAs)х, (Ge2)1-
y(ZnSe)y и (GaAs)1-
х(ZnSe)х.................................................................................
27
Постановка задачи…………………………………………………….. 31
ГЛАВА II. ТЕХНОЛОГИИ ВЫРАЩИВАНИЯ И
ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДЫ
ИССЛЕДОВАНИЙ……
33
§ 1. Установка для жидкофазной эпитаксии твердых растворов
(GaAs)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y из ограниченного объема растворарасплава……………………………………………………………..…. 33
§ 2. Выращивание твердого раствора (GaAs)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y методом
жидкофазной эпитаксии………………………………….................... 364
§ 3. Метод рентгеноструктурного
анализа…………………………….….
43
§ 4. Другие методы исследований............................................................... 48
Выводы к главе 2……………………………………………………… 50
ГЛАВА III. РЕНТГЕНОДИФРАКЦИОННЫЕ И ЭЛЕКТРОН
-НОМИКРОСКОПИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ТВЁРДОГО
РАСТВОРА (GaAs)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y…………….......................…… 51
§ 1. Структурные свойства GaAs подложки............................................... 51
§ 2. Рентгенодифракционные исследования пленок твердых растворов
(GaAs)1-x-y(ZnSe)x(Ge2)y (0 х 0.17, 0 у
0.14)…………….............
52
§ 3. Механизмы образования квантовых точек при жидкофазной
эпитаксии…………………………………………………………….... 58
§ 4. Поверхностные состояния эпитаксиальных слоев твердых растворов
(GaAs)1-x-y(ZnSe)x(Ge2)y……………………………………………….. 63
Выводы к главе 3.................................................................................... 67
ГЛАВА IV. ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ И
ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА n-GaAs-p-(GaAs)1-xy(Ge2)x(ZnSe)y ГЕТЕРОСТРУКТУР….……………………..……... 69
§ 1. Механизма переноса тока в n-GaAs-р-(GaAs)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y
гетероструктурах…………………………………..………………….. 69
§ 2. Влияние температуры на вольт - амперные характеристики nGaAs
− p(GaAs)0.69(Ge2)0.17(ZnSe)0.14 гетероструктур…………………….... 80
§ 3. Фотоэлектрические свойства n-GaAs-p-(GaAs)0.69(Ge2)0.17 (ZnSe)0.14
гетероструктур………………………………..…….................………. 86
§ 4. Влияние нанокристаллов германия и селенида цинка на
фотоэлектрические свойства гетероструктуры типа n-GaAs-p-
(GaAs)0.69(Ge2)0.17(ZnSe)0.14………………………………..…………... 895
Выводы к главе 4.................................................................................... 97
ЗАКЛЮЧЕНИЕ……..……………………………………..………… 99
СПИСОК ОПУБЛИКОВАННЫХ РАБОТ...................................... 101
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ………....…… 105
СПИСОК УСЛОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ………..……………... 117
