ВВЕДЕНИЕ…………………………………………………………………... 6
ГЛАВА I. ТЕНДЕНЦИИ РАЗВИТИЯ ИНЖЕКЦИОННЫХ ФОТО-
ДИОДОВ………………………………………………………………... 15
§1.1. Общие характеристики инжекционных фотодиодов………………… 15
§1.2. Инжекционные фотодиоды на основе узкозонных и широкозонных
полупроводников………………………………………………………. 22
§1.3. Механизмы усиления в инжекционных фотодиодах………………… 25
Постановка задачи исследования……………………………………………. 32
ГЛАВА II. МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ И ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУ-
ЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
n
+
-CdS−n-CdSxTe1-x−p-ZnxCd1-xTe……………………………………… 33
§2.1. Рентгеноструктурные исследования пленок твердого раствора
ZnxCd1-xTe…………………...................................................................... 33
§2.2. Определение химического элементного состава твердого раствора
ZnxCd1-xTe с помощью энерго-дисперсионного рентгеновского анализа………………………………………………………………………. 39
§2.3. Синтез слоя CdS на поверхности твердого раствора ZnxCd1-xTe методом вакуумного испарения в квазизамкнутом объеме………..... 41
§2.4. Исследования структуры слоя CdS, полученного на поверхности
пленки твердого раствора ZnxCd1-xTe……………………………….. 45
§2.5. Энерго-дисперсионные рентгеновские исследования гетероструктуры CdS−Zn0.35Cd0.65Te ..……………………………………………… 47
Выводы к главе 2.……………………………………………………………. 50
ГЛАВА III. ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ИНЖЕК-
ЦИОННОГО ФОТОДИОДА НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
In−n
+
-CdS−n-CdSxTe1-x−p-Zn0.35Cd0.65Te−Мо………..……………….. 52
§3.1. Образование n
+
−n(i)−p-перехода в гетероструктуре In−n
+
-CdS−nCdSxTe1-x−p-Zn0.35Cd0.65Te−Mo и поверхностные состояния на границе раздела........................................................................................ 52
§3.2. Закономерности протекания тока в гетероструктуре In−n
+
-CdS‒nCdSxTe1-x‒p-Zn0.35Cd0.65Te−Мо, при комнатной температуре………... 70
§3.3. Зависимость темновой вольт-амперной характеристики гетероструктуры In−n
+
-CdS‒n-CdSxTe1-x‒p-Zn0.35Cd0.65Te−Мо от температуры……………………………………………………………………… 78
Выводы к главе 3…………………………………………………………….. 92
ГЛАВА IV. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ИНЖЕК-
ЦИОННОГО ФОТОДИОДА НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
In−n
+
-CdS−n-CdSxTe1-x−p-Zn0.35Cd0.65Te−Мо…………………………. 944
§4.1. Спектральная зависимость фототока гетероструктуры In−n
+
-CdS‒nCdSxTe1-x‒p-Zn0.35Cd0.65Te−Мо, в отсутствии напряжения смещения 94
§4.2. Спектральная зависимость фототока гетероструктуры In−n
+
-CdS‒nCdSxTe1-x‒p-Zn0.35Cd0.65Te−Мо, при наложении напряжений смещения……...………………………………………………………………... 97
§4.3. Световая вольт-амперная характеристика гетероструктуры In−n
+
-
CdS‒n-CdSxTe1-x‒p-Zn0.35Cd0.65Te−Мо, при разных уровнях освещенности белым светом……...………………………………...…….... 103
§4.4. Вольт-амперная характеристика гетероструктуры In−n
+
-CdS‒nCdSxTe1-x‒p-Zn0.35Cd0.65Te−Мо, при освещении лазерным излучением с λ=632 нм……………………………………………………….... 110
Выводы к главе 4…………………………………………………………….. 118
ЗАКЛЮЧЕНИЕ……………………………………………………………… 120
СПИСОК ОПУБЛИКОВАННЫХ РАБОТ…………………………………. 122
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ………………………… 125
ПРИЛОЖЕНИЯ
Приложение 1. Технология синтеза пленки твердого раствора
ZnxCd1-xTe газотранспортным методом в потоке водорода…………. 136
Приложение 2. Расчетные параметры исследуемых гетероструктур……. 147
Приложение 3. Инжекционный фотодиод для определения спектров
химических элементов в металлических сплавах……………………. 149
Приложение 4. Справка об использовании результатов диссертации,
выданная Министерством высшего и среднего специального
образования Республики Узбекистан………………………………… 154
Приложение 5. Справка об использовании результатов диссертации,
выданная Акционерном обшеством «Узбекистон темир йуллари» 155
