ВВЕДЕНИЕ ............................................................................................................. 6
ГЛАВА I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ .................................................................. 12
§1.1. SiC диоды и особенности их изготовления ............................................... 12
§1.2. Методы термической диффузии в SiC ....................................................... 18
§1.3. Влияние точечных дефектов на процесс диффузии мелких примесей в карбиде кремния ............................................................................................ 21
§1.4. Влияние линейных дефектов и микротрубок на свойства диодов ......... 25
Постановка задачи .............................................................................................. 35
ГЛАВА II. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ДЕФЕКТНОГО СЛОЯ НА НИЗКОТЕМПЕРАТУРНУЮ ДИФФУЗИЮ В КАРБИДЕ КРЕМНИЯ ... 37
§2.1. О механизме низкотемпературной диффузии примеси в потоке дефектов ......................................................................................................... 37
§2.2. Экспериментальные распределения бора и упрощенная модель неравновесной диффузии примесей в карбиде кремния в присутствии потока вакансий углерода ............................................................................ 39
§2.3. Влияние дефектного слоя на процесс диффузии и характеристики переходов ....................................................................................................... 49
§2.4. Исследование растворимости и распределения примеси в легированных слоях по ВЕХ барьеров Шоттки .................................................................. 55
§2.5. Исследование УФ стимулированного травления карбида кремния ....... 61
§2.6. Методика измерений и их обработка, параметры образцов .................... 69
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ II ....................................................................................... 76
ГЛАВА III. ИССЛЕДОВАНИЕ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЙ ДИФФУЗИИ БОРА И АЛЮМИНИЯ В ОБРАЗЦАХ С ОТНОСИТЕЛЬНО НИЗКОЙ КОНЦЕНТРАЦИЕЙ РОСТОВЫХ ДЕФЕКТОВ .......................................................................................................... 77
§3.1. Профиль распределения В при низкотемпературной диффузии в кристаллах с относительно низкой концентрацией структурных дефектов ......................................................................................................... 77
4
§3.2. Исследование низкотемпературной диффузии алюминия в карбид кремния ........................................................................................................... 80
§3.3. О режимах отжига дефектов, образующихся при низкотемпературной диффузии (по данным, полученным для пластинчатых кристаллов) ...... 83
§3.4. Влияние отжига на свойства барьеров Шоттки с диффузионным подслоем и распределение примесей в легированных слоях ................... 86
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ III ...................................................................................... 91
ГЛАВА IV. ИССЛЕДОВАНИЕ ДИОДНЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ P-N ПЕРЕХОДОВ, СОЗДАННЫХ МЕТОДОМНИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЙ ДИФФУЗИИ ......................................................................................................... 92
§4.1. Влияние отжига на ВАХ p-n переходов созданных низкотемпературной диффузией в кристаллах SiC с относительно низкой концентрацией дефектов ......................................................................................................... 92
§4.2. Вольт-амперные характеристики диодов, полученных низкотемпературной диффузией алюминия и бора ................................... 96
§4.3. Оценка физических характеристик p-i-n SiC<Al> диодов с помощью импедансной спектроскопии ...................................................................... 100
§4.4. Оценка физических характеристик p-i-n SiC<В> диодов с помощью импедансной спектроскопии ...................................................................... 109
§4.5. Время переключения SiC диодов и температурная зависимость пробойного напряжения от температуры ................................................. 116
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ IV .................................................................................... 121
ЗАКЛЮЧЕНИЕ ................................................................................................. 122
СПИСОК ОПУБЛИКОВАННЫХ РАБОТ ................................................... 123
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ ..................................... 128
