ВВЕДЕНИЕ………………………………......................................................
ГЛАВА I. АНАЛИЗ СОВРЕМЕННОГО СОСТОЯНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ………….…………
§1.1. Тонкопленочные солнечные элементы на основе CdTe ...………….
§1.1.1. Свойства прозрачных проводящих пленок………………………
§1.1.2. Методы получения пленок CdS, CdTe и их свойства…………….
§1.1.3. Термическая обработка солнечных элементов…………………….
§1.1.4. Тыльные контакты для солнечных элементов………………...….
§1.2. Современное состояние солнечных элементов. ……………………..
§1.2.1. Основы солнечной фотовольтаики…………………………………
§1.2.2. Предел эффективности солнечных элементов на основе p-nперехода ……….……………………………………………………..
§1.2.3. Эквивалентная схема солнечных элементов.…………………...….
§1.2.4. Основные фотовольтаические технологии. ………………………..
§1.2.5. Первое поколение: кристаллические кремниевые элементы.….....
§1.2.6. Второе поколение: тонкопленочные солнечные элементы….……
§1.2.7. Солнечные элементы третьего поколения. ………………………..
§1.2.8. Органические солнечные элементы. ……………………………….
§1.2.9. Перовскитовые солнечные элементы. ……………………………..
Выводы к первой главе………………………………………………………
Постановка задачи…………………………………………………………...
ГЛАВА II. ПОЛУЧЕНИЕ ПЛЕНОК CdTe, CdS, ZnO, ZnO(Al) И
ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ИХ ОСНОВЕ РАЗЛИЧНЫМИ
МЕТОДАМИ….............................................................................
§2.1. Получение пленок CdTe различного состава химическим
молекулярно -пучковым осаждением в потоке газа..........................
§2.2. Получение пленок СdS из бинарных источников…......…………….
§2.3. Получение прозрачных проводящих пленок ZnO, ZnO(Al)
методом магнетронного распыления …...……....................................
§2.4. Влияние скорости роста на структуру пленок А2В
6 при химическом парофазном осаждении…………………………...........................
§2.5. Исследование состава пленок CdTe в твердой фазе от соотношения
Cd/Te паровой фазы……………………………………………………
Выводы ко второй главе. ……………………………………………………
ГЛАВА III. ИССЛЕДОВАНИЕ МОРФОЛОГИЧЕСКИХ И СТРУКТУРНЫХ СВОЙСТВ ПЛЕНОК CdTe ДО И ПОСЛЕ
ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ. ……………………………...
6
19
19
23
24
33
34
35
36
38
40
43
47
48
50
54
57
58
59
60
61
61
66
68
69
74
77
78
784
§3.1. Морфология пленок CdTe различного состава …..………………….
§3.2. Структурные свойства пленок CdTe различного состава……….…..
§3.3. Структура и морфология пленок CdTe полученных методом ХМПО
при пониженной температуре подложки……..………………...
§3.4. Влияние толщины пленок теллурида кадмия на их
морфологические и структурные свойства ………………
Выводы к третьей главе...…………….…………….……..…………………
79
82
88
91
95
ГЛАВА IV. ПОЛУЧЕНИЕ ПЛЕНОК CdTe НА МОЛИБДЕНОВЫХ
ПОДЛОЖКАХ И ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
ПЛЕНОК CdTe …………………………………...……...…..
§4.1. Влияние слоя Sb на структуру и контактное сопротивление пленок
теллурида кадмия осаждённых на молибденовой
подложке.………………………………………..…………………….
§4.1.1. Омические контакты к тонким плёнкам р-CdTe. ………………….
§4.1.2. Электронномикрозондовый рентгеноспектральный анализ
пленок CdTe осаждённых на молибденовой подложке методом
ХМПО………………………………………………………………….
§4.1.3. Влияние слоя Sb на контактное сопротивление пленок теллурида
кадмия осаждённых на молибденовой подложке. …………………
§4.2. Нанесение слоев ZnTe и Ni на поверхность молибденовой
подложки…….………….……………………………………………..
§4.2.1. Морфологические и электрические свойства пленок теллурида
кадмия осаждённых на молибденовой подложке…………………..
§4.3. Электрические свойства пленок CdTe до и после термической
обработки. ……………………………………………………………..
§4.4. Влияние границ зерен на проводимость и токоперенос в пленках
А2В
6
. …………………………………………………………………...
§4.4.1. Теорическая основы токопереноса пленках А2В
6………………….
§4.4.2. Изучение электропроводимости пленок ZnTe. ……………………
§4.4.3. Вольт-амперные характеристики пленок А2В
6…..………………..
Выводы к четвертой главе ………………………………………………….
ГЛАВА V. ПОЛУЧЕНИЕ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ СОЛНЕЧНЫХ
ЭЛЕМЕНТОВ НА ОСНОВЕ ПЛЕНОК CdTe РАЗЛИЧНОГО
СОСТАВА НА СТЕКЛЯННЫХ И МЕТАЛЛИЧЕСКИХ
ПОДЛОЖКАХ, А ТАКЖЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ИХ
ФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ …………………………………….
96
96
98
104
109
112
113
115
113
118
120
122
126
1285
§5.1. Получение тонкопленочных солнечных элементов на основе
пленок CdTe различного состава на стеклянных подложках и
исследование их фотоэлектрические характеристики…………..….
§5.1.1. Изготовление тонкопленочных солнечных элементов на стеклянных подложках. ………………………………………………………
§5.1.2. Фотоэлектрические характеристики тонкопленочных солнечных
до и после термической обработки. …………………………………
§ 5.1.3. Фотоэлектрические характеристики тонкопленочных солнечных
элементов на основе CdTe путем легирования медью (Cu) базового
слоя теллурида кадмия. ………………………………………………
§5.2. Получение тонкопленочных солнечных элементов на основе CdTe
на молибденовых подложках. ….…………………………………….
§5.2.1. Изготовление тонкопленочных солнечных элементов на
молибденовых подложках. ………………………..………………….
§5.2.2. Темновые и световые вольтамперные характеристики тонкопленочных солнечных элементов. …………………………………..
§5.2.3. Влияние толщины пленки CdS и CdCl2 на фотоэлектрические
свойства тонкопленочных солнечных элементов Mo/(Ni)/CdTe/
CdS/ZnO/ZnO(Al). …………………………………………………….
Выводы к пятой главе ………………………………………………………
ЗАКЛЮЧЕНИЕ……………………………………………………………...
СПИСОК ОПУБЛИКОВАННЫХ РАБОТ…………………………………
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ…………………………
ОСНОВНЫЕ УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ И СОКРАЩЕНИЯ……….
129
130
132
136
138
141
142
145
148
151
153
158
171
ПРИЛОЖЕНИЯ……………………………………………………………... 174
